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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
Bo-Hyun Shim (Defense Agency for Technology and Quality) Hee-Jin Jo (Defense Agency for Technology and Quality) Dong-Jin Kim (Defense Agency for Technology and Quality) Jong-Mok Chae (Defense Agency for Technology and Quality)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.16 No.1
발행연도
2016.2
수록면
39 - 43 (5page)

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The structural, electrical properties of Ga doped MgZnO transparent conductive oxide (TCO) films by ratio-frequency(RF) magnetron sputtering were investigated. Ga doped MgZnO TCO films were deposited on the sapphire substrates at 200℃ varying growth thickness 200 to 600 nm. The optical properties of Ga doped MgZnO TCO films were showed above 85% transmittance from 300 to 1000 nm region. In addition, the current density (J<SUB>SC</SUB>) of Cu(In,Ga)Se<SUB>2</SUB> (CIGS) solar cells was improved by using the MgZnO:Ga films of 500 nm thickness because of outstanding electrical properties. The Cu(In,Ga)Se2 solar cells with MgZnO:Ga transparent conducing layer yielded an efficiency of 9.8% with current density (31.8 mA/cm<SUP>2</SUP>), open circuit voltage (540.2 V) and fill factor (62.2) under AM 1.5 illumination.

목차

Abstract
1. INTRODUCTION
2. EXPERIMENTAL PROCEDURE
3. RESULTS AND DISCUSSION
4. CONCLUSIONS
REFERENCES

참고문헌 (10)

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