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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2016.1
- 수록면
- 506 - 511 (6page)
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The fluctuation of Ga content and absorption layer thickness of Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) solar modules is investigated by 3-dimensional numericalsimulation. The band gap of CIGS is increased by the increasing Gacontent, and the residual compressive strain. Strain effect worsens thedegradation of the power conversion efficiency of CIGS module in additionto Ga fluctuation. The intracell Ga fluctuation degrades the open circuitvoltage due to the minimum open circuit voltage in the parallelconfiguration, and also affects the short circuit current due to the Gadependentlight absorption. The intercell Ga fluctuation leads to a moresignificant degradation for CIGS solar module efficiency than the intracellGa fluctuation due to the additional degradation of the fill factor. Thethickness fluctuation has a small effect on open circuit voltage, but causesstrong degradation of short circuit current and fill factor, which leads to amore significant degradation on power conversion efficiency than Gafluctuation to the same fluctuation percentage. In reality, the thickness canbe tightly controlled within the fluctuation of 5% or less.
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