Fabrication of thin film transistor using magnesium zinc oxide (MgZnO) as a semiconductor layer by magnetron sputtering technique

Amuthasurabi.M

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자료유형: 학술저널

저자정보: Amuthasurabi.M

저널정보: 한양대학교 세라믹공정연구센터 Journal of Ceramic Processing Research Journal of Ceramic Processing Research 제20권 제1호

발행연도: 2019.1

수록면: 95 - 98 (4page)

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Inverted staggered thin film transistors (TFTs) using magnesium zinc oxide (MgZnO) material as a channel layer have beenfabricated over the glass substrate. A radio frequency magnetron sputtering technique was used to deposit thin films at a verylow temperature of 100 oC. The structural and electrical characteristics were investigated. The semiconductor film showsslightly enhanced grain size without any crack with few grain boundaries. For the first time the self heating effect on the TFTfabricated using MgZnO was discussed. The electrical characteristics of MgZnO based device exhibit reduced self-heatingeffect compared with undoped zinc oxide. The calculated parameters are carrier mobility 1.08 cm2/V-s, threshold voltage 15V, leakage current 10−10 A and current ratio (on/off) 10−5. The low deposition and processing temperatures make MgZnOTFTsvery promising for the flexible electronics.

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Y. Caglar / 2015 / J. Alloy. Comp 621:189~193

Mazran Esro / 2015 / Adv. Func. Mater 25:134~141

D. Z. Zhou / 2015 / J. Alloy. Comp 648:587~590

H. C. You / 2015 / J. Appl. Res. Technol 13(2):291~296

M. Amuthasurabi / 2017 / Influence of temperature on self-heating effect in ZnO based thin film transistor fabricated by magnetron sputtering technique / Journal of Ceramic Processing Research 18(1):41~44

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