PCS용 전력 AlGaAs/InGaAs 이중 채널 P-HEMTs의 제작과 특성

이진혁 ,  김우석 ,  정윤하

대한전자공학회 학술대회

1999 .11

역 이중채널 구조를 이용한 전력용 AlGaAs/InGaAs/GaAs P-HEMT의 특성

안광호 ,  정영한 ,  배병숙 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

1996 .11

mm파 AlGaAs / InGaAs / GaAs Power PM-HEMT 제작 연구 ( Fabrication of AlGaAs / InGaAs / GaAs Pseudomorphic HEMT's for mm waves )

이성대 ,  허종곤 ,  이일형 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1998 .11

0.25㎛ T형 게이트 AlGaAs/InGaAs P-HEMT 제작 및 이를 이용한 입력 정합된 X-밴드 저잡음 증폭기의 설계

김진명 ,  전영진 ,  정윤하

대한전자공학회 학술대회

1997 .11

델타도핑 AlGaAs / InGaAs HEMT 구조의 MOCVD 성장 ( MOCVD Growth of Delta-Doped AlGaAs / InGaAs HEMT Structures )

양계모 ,  박상규 ,  황석원 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1991 .01

Fabrication and Characterization of 0.2um T-shaped gate AlGaAs / InGaAs P-HEMTs

배창민 ,  서은성 ,  전영진 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

0.4㎛ 게이트 길이의 AlGaAs / InGaAs Pseudomorphic HEMT 제작 ( Fabrication of 0.4㎛ Gate Length AlGaAs / InGaAs Pseudomorphic HEMT's )

백승원 ,  김병성 ,  서광석

대한전자공학회 학술대회

1993 .01

Wide Head T-Gate를 갖는 AlGaAs / InGaAs Pseudomorphic HEMT 소자를 사용한 10Gbps 초고속 전치증폭기 설계 ( Design of 10Gps High speed Preamplifier Using AlGAAs / InGaAs Pseudomorphic HEMT Device with Wide Head T-Gate )

양광진 ,  백정기 ,  홍창희 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

10Gbps LD Driver IC using AlGaAs / GaAs HBTs

이태우 ,  기현철 ,  박성호 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

저압 MOCVD법을 이용한 Si델타도핑된 AlGaAs/InGaAs 구조의 저잡음 P-HEMTs의 전기적 특성

전영진 ,  정영한 ,  정윤하

대한전자공학회 학술대회

1994 .11

저압-MOCVD법을 이용한 Si 델타도핑된 AlGaAs/InGaAs 이중 채널 구조의 전력용 P-HEMTs의 제작과 특성

정영한 ,  이정수 ,  전영진 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1995 .12

AlGaAs/GaAs HBT를 이용한 10-Gbps 광통신 시스템용 EAM 구동기

임택규 ,  기현철 ,  박문평 외 5명

한국통신학회 학술대회논문집

2001 .07

0.25㎛ T형 게이트 AIGaAs / InGaAs P-HEMT 제작 및 이를 이용한 입력 정합된 X-밴드 저잡음 증폭기의 설계 ( The Fabrication of 0.25mm T-shaped Gate AlGaAs / InGaAs P-HEMT and It`s Application to the Input-Matched 3 Stage X-Band LNA Design )

김진명 ,  전연진 ,  정윤하

대한전자공학회 학술대회

1997 .11

mm파 AlGaAs/InGaAs/GaAs Power PM-HEMT 제작 연구

이성대 ,  허종곤 ,  이일형 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1998 .11

개선된 T - gate 기술로 제작한 초저잡음 AlGaAs / InGaAs / GaAs pseudomorphic HEMT 소자의 특성 ( A Super Low Noise Characteristics of AlGaAs / InGaAs / GaAs Pseudomorphic HEMTs Fabricated by the Improved T - Gate )

이진희 ,  윤형섭 ,  최상수 외 2명

전자공학회논문지-A

1995 .03

AlGaAs / GaAs HEMT 소자의 제작 및 특성 ( Fabrication and Characterization of GaAs / AlGaAs HEMT Device )

이진희 ,  윤형섭 ,  강석봉 외 7명

전자공학회논문지-A

1994 .09

AIGaAs / InGaAs P-HEMT를 이용한 10Gbps용 초고속 전치증폭기 설계 및 제작 특성

양광진 ,  백정기 ,  이진희 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

AlGaAs/GaAs/AlGaAs 이중 이종접합 HEMT구조에서의 2차원 전자개스농도의 양자역학적 계산 ( Quantum Mechanical Calculation of Two-Dimensional Electron Gas Density in AlGaAs/GaAs/AlGaAs Double-Heterojunction HEMT Structures )

윤경식 ,  이정일 ,  강광남

전자공학회논문지-A

1992 .03

초고속 광통신용 10Gbps급 광변조기 제작 및 특성 ( Fabrication and Characteristics of 10Gbps Optical Modulator for High Speed Optical Communication )

윤형도 ,  김성구 ,  허현 외 1명

전자공학회논문지-D

1998 .02

Deembedding Effect on fo Extraction for AlGaAs / InGaAs / GaAs Pseudomorphic HEMTs

윤경식 ,  이진희 ,  윤형섭 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01