스페이서층 두께변화에 따른 공명터널링 다이오드에서 전류 - 전압 특성의 자기무모순법에 의한 해석 ( Dependence of the Thickness of Spacer Layers on the Current Voltage Characteristics of DB Resonant Tunneling Diodes Analyzed with a Self-Consistent Method )

김성진 ,  이상훈 ,  성영권

전자공학회논문지-A

1994 .03

Self-Consistent 법에 의한 AlGaAs / GaAs의 이중양자우물 구조 공명터널링 다이오드의 전기적 특성 해석 ( Static I-V Characteristics of DQW Resonant Tunneling Diodes with AlGaAs / GaAs Structure Simulated by a Self-Consistent Method )

김성진 ,  김종관 ,  허윤종 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1993 .07

이중장벽 공명투과 다이오드의 물성

강태원 ,  홍치유 ,  김순구 외 6명

대한전자공학회 학술대회

1990 .11

이중장벽 공명투과 다이오드의 물성 ( Physical Properties of Double Barrier Resonant Tunneling Diode )

강태원 ,  홍치유 ,  김순구 외 6명

대한전자공학회 학술대회

1990 .11

Self-Consistent 법에 의한 AIGaAS/GaAs의 이중양자우물구조 공명터널링 다이오드의 전기적 특성 해석

김성진 ,  김종관 ,  허윤종 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1993 .07

Winger 분포 함수 모델을 이용한 공명 터널링 다이오드의 해석 ( Analysis of Resonant-Tunneling Diode Using Wigner Distribution Function Model )

권택정 ,  이병호

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

공명투과다이오드를 이용한 논리회로의 응용 연구 ( Study for Digital Logic Circuit Using Resonant Tunneling Diodes )

추혜용 ,  박병운 ,  이창희 외 1명

전자공학회논문지-A

1994 .02

단일 양자 우물 구조로 된 밴드간 공명 터널링 다이오드의 전류 - 전압 특성 ( I - V Characteristics of resonant interband tunneling diodes with single quantum well structure )

김성진 ,  박영석

전자공학회논문지-D

1997 .04

Self-consistent법에 의한 AIGaAs/GaAs구조 공명터널링 다이오드의 전기적 특성 해석

김성진 ,  박근영 ,  유환성 외 3명

대한전기학회 학술대회 논문집

1993 .07

LC 공진 특성을 이용한 공명 터널링 다이오드에서의 capacitance 측정

曺重烈

전기학회논문지

1998 .01

Wigner 분포 함수 모델을 이용한 공명 터널링 다이오드의 해석

권택정 ,  이병호

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

단일 양자우물 구조의 밴드간 공명터널링 다이오드에서 부성 저항 특성 ( NDR Characteristics of Resonant Interband Tunneling Diodes with Single Quantum Well Structure )

김성진 ,  이상훈 ,  성영권

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

단일 양자우물 구조의 밴드간 공명터널링 다이오드에서 부성 저항 특성

김성진 ,  이상훈 ,  성영권

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

빛에 의한 공명투과다이오드 진동자의 주파수 변조 특성 ( Optical Modulation Charateristics of Resonant Tunneling Diode Oscillator )

추혜용 ,  이일항

전자공학회논문지-A

1996 .10

전위 장벽에 경사지게 입사하는 전자의 터널링 시간과 터널링 후의 위치 ( Tunneling Time and Post-Tunneling Position for an Electron Incident on a Potential Barrier with Inclination )

이병호 ,  이욱

전자공학회논문지-A

1996 .01

n+ ―p ― p+ 다이오드의 전압 전류 특성 해석 ( The J-V characteristics of n+ ―p ― p+ diodes )

이미희 ,  장호수 ,  이상조 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1990 .07

하나의 전위장벽에 대한 전자의 터널링 시간

이욱 ,  이병호

대한전기학회 학술대회 논문집

1995 .07

실온에서의 GaAs / AlAs 이중 장벽 구조의 공명 투과 ( The Resonant Tunneling of GaAs / AlAs Double Barrier Structure at Room Temperature )

강태원 ,  홍치유 ,  김순구 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1989 .01

전위 장벽에 대한 전자의 터널링 시간이 시뮬레이션

李旭 ,  李竝浩

전기학회논문지

1996 .01

Gate Tunneling Current and Quantum Effects in Deep Scaled MOSFETs

Chang-Hoon Choi ,  Robe ,  t W. Dutton

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2004 .03