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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2007.11
- 수록면
- 443 - 444 (2page)
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Continued transistor scaling will not be as straightforward in the future as it has been in the past because fundamental materials and process limits are rapidly being approach. Advanced MOSFET structures such as the Fin Field Effect Transistor can be scaled more a ... 전체 초록 보기
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