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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제20권 제4호
- 발행연도
- 2019.1
- 수록면
- 364 - 370 (7page)
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This work investigates the performance of strained Si on insulator as potential material for forced stacked multi-threshold FinFET based inverter considering its ultra low-power applications. Using the calibrated exhaustive 3D-TCAD mixed-mode simulation a comparative analysis of conventional and forced stack FinFET based inverters has been performed. The static and dynamic characteristics have been compared with conventional and forced stacked FinFET based inverter. The leakage in standby mode can be reduced through well-defi ned stack and multi-threshold (V TH ) transistors. Channel doping is optimized to get higher V TH devices. To improve the speed of circuits FinFETs are designed on strained Silicon on Insulator (sSOI) wafer. Uniform uniaxial tensile stress in sSOI gives the advantage of high ON current in n-FinFETs. It is observed that using strained FinFETs the maximum delay is reduced below 10 ps and using multi V TH forced stack technique the leakage power is reduced. Hence, forced stack technique based FinFET can evolve as a potential candidate for the future ultra-low power device applications.
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S.G. Narendra / 2006 / Leakage in Nanometer Technologies / Springer
T. Skotnicki / 2005 / IEEE Circuits Devices Mag 21(1):16~26
G. Pei / 2002 / IEEE Trans. Electron Devices 49(8):1411~1419
Y. Li / 2007 / IEEE Trans. Electron Devices 54(12):3426~3429
W. Xiong / 2006 / IEEE Electron Device Lett 27(7):612~614
T. Skotnicki / 2005 / IEEE Circuits Devices Mag 21(1):16~26
G. Pei / 2002 / IEEE Trans. Electron Devices 49(8):1411~1419
Y. Li / 2007 / IEEE Trans. Electron Devices 54(12):3426~3429
W. Xiong / 2006 / IEEE Electron Device Lett 27(7):612~614
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