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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2006.11
- 수록면
- 341 - 344 (4page)
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In this paper, we investigated the performance and reliability of the device as formatting LDD(Lightly Doped Drain) with additional N₂ implant process. In case of the N₂ implantation, the TED(Transient Enhanced Diffusion) of boron is suppressed in channel regime and the drain current increased. But hot carrier lifetime is improved. Also, we investigated a change of the effective channel length using CP(Charge Pumping) current method and the analog performance is compared to evaluate DC gain and Rout according N₂ implantation. However, the N₂ implantation did not affect at analog performance. But the drain current at the normalized threshold voltage is degraded in digital performance. Therefore, we proved that the reliability can be improved without degrading Rout performance. The important Input/Output(IO) device in the analog performance is partially adapted for nano CMOS technology.
목차
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험 방법
Ⅲ. 실험 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
참고문헌
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