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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 1997.1
- 수록면
- 249 - 251 (3page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (3)
1997
Si ( 110 ) 에서 기른 Si / SiGe 양자우물의 부밴드간 천이에 의한 IR Photon 흡수계수의 모델링 ( Modeling of IR Photon Absorption Coefficient for Intersubband Transitions in a Si / SiGe Quantum Well Grown on Si ( 110 ) )
김경염
,
이병호
,
이찬호
대한전자공학회 학술대회
1997.01
학술대회자료
Si ( 110 ) 에서 기른 Si / SiGe 양자우물의 부밴드간 천이에 의한 IR Photon 흡수계수의 모델링 ( Modeling of IR Photon Absorption Coefficient for Intersubband Transitions in a Si / SiGe Quantum Well Grown on Si ( 110 ) )
김경염
,
이병호
,
이찬호
한국통신학회 광전자공학 학술회의
1997.01
학술대회자료
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Si ( 110 ) 에서 기른 Si / SiGe 양자우물의 부밴드간 천이에 의한 IR Photon 흡수계수의 모델링 ( Modeling of IR Photon Absorption Coefficient for Intersubband Transitions in a Si / SiGe Quantum Well Grown on Si ( 110 ) )
한국통신학회 광전자공학 학술회의
1997 .01
-
Si/SiGe을 이용한 새로운 단전자 트랜지스터
대한전자공학회 학술대회
1997 .06
-
SiGe/Si 다층박막의 광발광과 광전류
대한전자공학회 학술대회
2010 .06
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Si / SiGe / Si 이종 접합 바이폴라 소자에서 기생 전위가 베이스 전류에 미치는 영향의 해석적 모델링 ( Analytical Modeling for the Effect of Parasitic Potential Barrier on the Base Current of Si / SiGe / Si DHBTs )
전자공학회논문지-A
1994 .04
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Si/SiGe계 가변형 광스위치의 최적화 구조 설계
한국통신학회 기타 간행물
2002 .10
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Si-Ge-H-Cl 계를 이용한 자기정렬 HBT용 Si 및 SiGe의 선택적 에피성장
전기전자재료학회논문지
2003 .01
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KITE JOURNAL OF ELECTRONICS ENGINEERING
1990 .01
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Si / Si0.8 Ge0.2 / Si 양자우물구조에서의 정공특성 분석
대한전자공학회 학술대회
1995 .01
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SiGe/Si 다층박막의 광발광과 광전류
대한전자공학회 학술대회
2010 .06
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고농도의 Ge 함량을 가진 Biaxially Strained SiGe/Si Channel Structure의 정공 이동도 특성
전기전자재료학회논문지
2008 .01
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SiOx/n⁺-Si/Si(100) quantum well의 특성
Proceedings of KIIT Conference
2011 .05
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Solid-Source Si Molecular Beam Epitaxy를 이용한 Si , SiGe 박막의 선택적 성장기술의 연구
대한전자공학회 학술대회
1994 .01
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TOP ELECTRODE ANNEALING EFFECTS IN SrBi$_2$Ta$_2$O$_9$/CeO$_2$/Si STRUCTURE
한국재료학회 학술발표대회
1998 .01
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Solid source Si MBE를 이용하여 Si(100) 기판위에 저온에서 성장된 SiGe 박막의 결정 구조 변화에 관한 연구
한국재료학회 학술발표대회
1994 .01
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Si(100)의 얇은 산화막을 통한 Co$Si_{2}$형성에 관한 연구
한국재료학회 학술발표대회
1997 .01
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선형열처리를 이용한 Si(100)/Si₃N₄∥Si(100)기판쌍의 직접접합
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2000 .11
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양자우물에서의 전자의 에너지 부준위간 천이에 의한 광자의 흡수계수와 천이 에너지의 모델링 ( Modeling of Absorption Coefficient and Transition Energy for Intersubband Transitions in Quantum Wells )
전자공학회논문지-D
1998 .08
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S / SiGe을 이용한 새로운 단전자 트랜지스터 ( A Novel Single Electron Transistor Using Si / SiGe )
대한전자공학회 학술대회
1997 .07
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Strained Si/Relaxed SiGe/SiO2/Si 구조 FD n-MOSFET의 전자이동도에 Ge mole fraction과 strained Si 층 두께가 미치는 영향
전자공학회논문지-SD
2004 .10
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