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SiH₄를 이용한 텅스텐의 화학증착시 압력증가가 증착에 미치는 영향
한국표면공학회지
1993 .02
다결정 실리콘 씨앗층에서의 Hot-wire CVD 방법을 이용한 에피택셜 실리콘 성장에 관한 연구
한국재료학회 학술발표대회
2007 .01
SiH₄-H₂계에서 유체유동이 Si의 화학증착에 미치는 영향
한국표면공학회지
1990 .09
SiH₄ 가스의 에너지 분포함수 관한 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
2000 .07
SiH4/H2 혼합기체를 multistep 방식으로 증착한 수소화된 실리콘 박막의 특성 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
2012 .07
열선 화학 기상증착법에 의한 다결정 실리콘 박막의 고속 저온 증착
한국재료학회 학술발표대회
2001 .01
반응성 스퍼터링을 이용한 Co-N 박막 형성 및 이를 이용한 $CoSi_2$ 에피층 성장
한국재료학회 학술발표대회
2003 .01
SiH₂Cl₂-H₂-HCl 시스템에서의 실리콘 선택적 성장에 대한 표면 반응메커니즘 고찰
대한전기학회 학술대회 논문집
1998 .07
Hot-Wire CVD 방법을 이용한 저온 에피택셜 실리콘 박막의 표면 텍스처 형성
한국재료학회 학술발표대회
2007 .01
SiH₄ 플라즈마중의 전자수송특성 해석
대한전기학회 학술대회 논문집
1998 .11
SiH₄/H₂ 혼합기체를 Multistep 방식으로 증착한 수소화된 실리콘 박막의 특성 연구
전기학회논문지
2014 .02
질소 가스 분위기에서 증착된 실리콘 질화막의 전기적, 광학적 특성 분석
한국신·재생에너지학회 학술대회 초록집
2009 .11
SiH₄-Ar혼합기체의 전자분포함수 해석
전기학회논문지 P
2004 .06
SiH₄+Ar혼합기체의 전자군 파라미터 해석
대한전기학회 학술대회 논문집
2002 .06
SiH4/NH3/N2 및 SiH4/NH3/Ar 유량비율이 PECVD SiNx : H 박막의 특성에 미치는 영향 ( Effect of Flow Rate Ratios of SiH4/NH3/N2 and SiH4/NH3/Ar on the Properties of PECVD SiNx : H Films )
전자공학회논문지
1988 .05
광화학 반응과 대기오염
기술사
1975 .01
증착조건에 따른 백금 박막의 에피탁시 성장거동 변화
한국재료학회 학술발표대회
2001 .01
증착 압력이 a-Si:H막의 전도도와 광학적 특성에 미치는 영향
공업화학
1999 .01
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