Carbon Doping Characteristics of GaAs Epilayers Grown by MOCVD on GaAs - substrates with various crystal orientations -

Byung Don Min ,  Mann Jang Pa ,  k

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

Luminescence Study of Carbon Doped GaAs Grown on GaAs ( 311 ) a Substrate by MOCVD

S. Cho ,  D. Lee ,  C. S. Son 외 4명

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1997 .01

Electrical Activity of Si in n-GaN Epilayers Grown by LP-MOCVD

노삼규 ,  이철로 ,  박성은 외 5명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

Temperature Dependence of Photoluminescence Peak form Carbon-Doped GaAs Epilayers Grown on High Miller Index GaAs Substrates

Shin Ho Cho ,  Chang Sik Son ,  Dal Jin Lee 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

GaAs (311)A 기판 위에 성장된 탄소 도핑된 GaAs 에피층의 광여기 발광

조신호

전기전자재료학회논문지

2002 .01

저압 MOCVD로 CBr4 가스를 사용하여 탄소도핑된 GaAs 에피층의 결정학적 방향에 따른 전기적 성질의 의존성

손창식

전기전자재료학회논문지

2002 .01

Effect of Al-Rich Surface on Se-Doped GaAs Grown by LP-MOCVD

Jong Hee Kim ,  Dae Ho Lim ,  Gye Mo Yang 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

고농도로 탄소 도핑된 높은 밀러 지수 GaAs

손창식

한국재료학회지

2003 .01

Crystallographic Orientation Dependence of Carbon Incorporation into GaAs Epilayers

Chang Sik Son ,  Seong Il Kim ,  Yong Kim 외 7명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

MOCVD를 이용한 Si(001) 기판 위에 GaAs 박막 성장 및 분석

한원석 ,  고영호 ,  김갑중 외 6명

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2018 .11

MBE에 의하여 성장된 GaAs 에피층의 특성 ( Characteristics of GaAs Epilayer Grown by Molecular Beam Epitaxy )

정관수 ,  정학기 ,  이문기 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1985 .01

Characterization of Partially Strain-Relaxed in GaAs grown by MOCVD

김인 ,  오동철 ,  정원국 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

MOCVD에 의한 Delta-Doped GaAs FET 소자의 제작 및 특성 ( The Fabrication and Characterization of Delta-Doped FET by MOCVD )

강명구 ,  오환술 ,  김무성 외 3명

전자공학회논문지-A

1991 .08

AlGaAs/GaAs Quantum-well Delta-doped Channel FET`s Grown by LP-MOCVD

Kyeong Sik Jang ,  Dong Ho Jeong ,  Jeong Su Lee 외 1명

International Conference on Electronics, Informations and Communications

1991 .01

AlGaAs/GaAs Quantum-well Delta-doped Channel FET’s Grown by LP-MOCVD

KYEONG-SIK JANG ,  DONG-HO JEONG ,  JEONG-SU LEE 외 1명

ICEIC : International Conference on Electronics, Informations and Communications

1991 .08

Electrical Transports of N-Type GaN Epilayers

정명구 ,  조현경 ,  이형재

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

Temperature Dependence of the Electrical Properities of Carbon Doped GaAs

Seong Il Kim ,  Yong Kim ,  Moo Sung Kim 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1995 .01

MOCVD Growth of Low Doped p-type AlGaAs Buffer Layers by Intrinsic Carbon Doping Method

최승준 ,  서진호 ,  이재학 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

The Electrical Properties of Se-Doped AlAs Epitaxial Layers Grown by MOCVD

B. C. Lee ,  S. S. Cha ,  Y. G. Shin 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

GaAs / AIGaAs HEMT's with Delta-Doped Quantum-Wells Grown by LP-MOCVD

Dong Ho Jeong ,  Kyeong Sik Jang ,  Yoon Ha Jeong

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1991 .01