Temperature Dependence of Photoluminescence Peak form Carbon-Doped GaAs Epilayers Grown on High Miller Index GaAs Substrates

Shin Ho Cho ,  Chang Sik Son ,  Dal Jin Lee 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

GaAs (311)A 기판 위에 성장된 탄소 도핑된 GaAs 에피층의 광여기 발광

조신호

전기전자재료학회논문지

2002 .01

Hydrogen-Carbon Complexes in Heavily Doped GaAs

이선길 ,  장기주

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

Luminescence Study of Carbon Doped GaAs Grown on GaAs ( 311 ) a Substrate by MOCVD

S. Cho ,  D. Lee ,  C. S. Son 외 4명

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1997 .01

Si-doped GaAs의 수소화 처리

오태석 ,  주웅길 ,  이번 외 3명

한국재료학회 학술발표대회

1993 .01

Heavily Si-Doped GaAs

Nam Young Lee ,  Chul Lee ,  Jae Eun Kim 외 5명

대한전자공학회 학술대회

1995 .01

Carbon Doping Characteristics of GaAs Epilayers Grown by MOCVD on GaAs - substrates with various crystal orientations -

Byung Don Min ,  Mann Jang Pa ,  k

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

저압 MOCVD로 CBr4 가스를 사용하여 탄소도핑된 GaAs 에피층의 결정학적 방향에 따른 전기적 성질의 의존성

손창식

전기전자재료학회논문지

2002 .01

The Electrical and Optical Charateristics of Carbon Doped GaAs Epilayers Grown by MOCVD

Seong Il Kim ,  Young Kim ,  Moo Sung Kim 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

열처리가 GaAs의 특성에 미치는 영향 ( Effect of Heat Treatment on Electrical Properlies of GaAs )

최병두 ,  김기수

전자공학회지

1974 .02

고농도로 탄소 도핑된 높은 밀러 지수 GaAs

손창식

한국재료학회지

2003 .01

High-Frequency Characteristics of AlGaAs / GaAs HBT with Carbon-doped Base

김연태 ,  이제희 ,  윤상호 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

GaAs Epi층의 온도의존성 ( Substrate Temperature Dependence of GaAs Epitaxial Layer )

강태원 ,  정관수 ,  이재진 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1985 .01

Be 도핑된 GaAs epi층의 전기적 특성 ( The electrical properties of Be doped GaAs epi-layer )

이재진 ,  박형무 ,  박신종 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1986 .01

Be 도핑된 GaAs epi 층의 전기적 특성

강태원 ,  임재영 ,  이재진 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1986 .12

실리콘을 주입한 크롬이 도핑된 GaAs의 전기적 성질에 관한 연구 ( Electrical Properties of Silicon Implants in Cr-Doped GaAs )

김용윤

전자공학회지

1983 .09

PECVD방법으로 형성한 $W_{67}N_{33}$/GaAs구조의 열적 특성

이세정 ,  홍종성 ,  이창우 외 3명

한국재료학회지

1993 .01

MECHANICAL PROPERITIES OF TITANIUM FOAM FOR BIOMEDICAL APPLICATIONS

SADAF KASHEF ,  JIANGUO LIN ,  PETER D. HONHSON 외 1명

기타자료

2008 .10

GaAs Technology

김철규

대한전자공학회 학술대회

1988 .01

에미터와 베이스의 기하구조가 AlGaAs/GaAs HBT 의 전기적 특성에 미치는 영향 ( Emitter - Base Geometry Dependence of Electrical Performance of A l GaAs/GaAs HBT )

박성호 ,  최인훈 ,  최성우 외 5명

전자공학회논문지-A

1995 .02