Analysis of the Breakdown Voltage in P⁺N Junction with Field Plate for Optimum Design

Kyoung Yang ,  Dae-Seok Byeon ,  Min-Koo Han 외 2명

JOURNAL OF KIEE

1996 .03

FIELD LIMITING RING WITH IMPROVED CORNER BREAKDOWN

Sangyong Lee ,  Younghwan Lho

ICPE(ISPE)논문집

1998 .10

ANALYSIS OF THE BREAKDOWN VOLTAGES OF 6H-SILICON CARBIDE PARALLEL-PLANE P^+ N JUNCTION AND CYLINDRICAL p^+ N JUNCTION

Dae-Seok Byeon ,  Min-Koo Han ,  Yea 외 1명

ICPE(ISPE)논문집

1995 .10

Field Limiting Ring 구조의 해석적 모델 ( An Analytic Model of Field Limiting Ring Structure )

나경만 ,  정상구 ,  최연익 외 1명

전자공학회논문지-A

1994 .07

A Study of Field-Ring Design using a Variety of Analysis Method in Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

Eun Sik Jung ,  Sin-su Kyoung ,  Hunsuk Chung 외 1명

Journal of Electrical Engineering & Technology

2014 .11

Super-Junction MOSFET with Improved Dynamic Characteristics Based on Trench-Metal Structure

Taewan Kim ,  Chungbu Jeong ,  Kwangsoo Kim

대한전자공학회 학술대회

2017 .01

The Research of Deep Junction Field Ring using Trench Etch Process for Power Device Edge Termination

김요한 ,  강이구 ,  성만영

전기전자학회논문지

2007 .12

The Optimum Design and Process of the Field Limiting Ring for 3KV High Voltage Planar Device

이종홍 ,  윤석남 ,  이언상 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1995 .01

6H-SiC P^(+)n 접합의 항복 전압을 위한 해석적 모형 ( Analytical Model of Breakdown Voltages for 6H-SiC p^(+)n Junction )

정용성

전자공학회논문지-SD

2001 .06

투과전자현미경을 이용한 $n^+$/p 접합에서 불순물의 이차원적 분포에 관한 연구

Pa ,  k ,  Chel-Jong 외 2명

한국재료학회 학술발표대회

1999 .01

광유 중 절연파괴전압의 분산과 절연파괴진전 과정의 분석

임동영 ,  박숭규 ,  박철호 외 3명

조명·전기설비학회논문지

2015 .06

3,000 V급 초접합 필드링을 갖는 초접합 IGBT 제작에 관한 연구

강이구

전기전자재료학회논문지

2015 .01

내압특성개선을 위한 트렌치 필드링 설계 및 전기적특성에 관한 연구

강이구 ,  김범준 ,  이용훈

전기전자재료학회논문지

2010 .01

전계제한테와 측면 유리 절연층을 사용한 고내압 소자의 항복 특성 연구

허창수 ,  추은상

대한전기학회 학술대회 논문집

1995 .07

Buried ring이 있는 FLR(Field Limiting Ring) 구조의 항복특성

윤상복 ,  최연익

대한전기학회 학술대회 논문집

1999 .07

이중 이온주입 공정을 이용한 트렌치 필드링 설계 최적화 및 전기적 특성에 관한 연구

양성민 ,  오주현 ,  배영석 외 1명

전기전자재료학회논문지

2010 .01

필드 플레이트가 설계된 다이아몬드 쇼트키 장벽 다이오드

장해녕 ,  강동원 ,  하민우

전기학회논문지

2017 .04

A 21V Output Charge Pump Circuit with Appropriate Well-Bias Supply Technique in 0.18 μm Si CMOS

Atsushi Shi ,  ane ,  Hi 외 5명

대한전자공학회 ISOCC

2011 .11

전력 VDMOS에서 항복전압을 개선시키기 위한 Field Limiting Ring의 구조 ( Geometry of Field Limiting Ring to Improve the Breakdown Voltage in Power VDMOS )

이동엽 ,  최종수 ,  성만영 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1987 .05

온도를 고려한 GaAs p⁺n 접합의 해석적 항복 전압

鄭龍成

전기학회논문지 C

1999 .04