Hydrodynamic model을 이용한 Submicron MOSFET의 Simulation ( Simulation of Submicron MOSFET Using Hydrodynamic Model )

김충원 ,  한백형 ,  김경석

전자공학회논문지-A

1993 .11

선택 실리콘 증착에 의해 제조된 Raised Source / Drain MOSFET의 전기적 특성 ( Electrical Characteristics of Raised Source / Drain MOSFET fabricated by Selective Silicon Deposition )

김영옥 ,  박순오 ,  이내인 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

Gate-Induced Drain Leakage를 줄인 새로운 구조의 고성능 Elevated Source Drain MOSFET에 관한 분석 ( Analysis of a Novel Elevated Source Drain MOSFET with Reduced Gate-Induced Drain Leakage and High Driving Capability )

김경환 ,  최장순 ,  김정태 외 1명

전자공학회논문지-SD

2001 .06

Deep submicron PMOSFET의 Scaling 방법

장성준 ,  김용택 ,  유종근 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1995 .12

Deep Submicron PMOSFET의 Scaling 방법 ( Scaling Methodology of Deep Submicron P-MOSFET )

장성준 ,  김용택 ,  유종근 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1995 .11

Deep Trench Filling 기술을 적용한 600 V급 Super Junction Power MOSFET의 최적화 특성에 관한 연구

이정훈 ,  강이구 ,  정은식

전기전자재료학회논문지

2012 .01

서브마이크론 p-MOSFET에서 스트레스로 유기된 핫 캐리어 효과 ( Stress Induced Hot Carrier Effect in Submicron p-MOSFET ` s )

이용재 ,  Dim Lee Kwong

대한전자공학회 학술대회

1992 .11

A New Analytical Model for Channel Thermal Noise of Deep-submicron RF MOSFETs

Jongwook Jeon ,  Yujo Yun ,  Y.W. Kim 외 1명

대한전자공학회 ISOCC

2006 .10

A New MOSFET Design Concept Using Recessed Channel Structure for Deep Submicron Application

Woo Hyeong Lee ,  Yeon Cheol Heo ,  Young June Pa 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

Symmetric high voltage MOSFET의 extended source/drain 길이에 따른 전기적 특성의 고온영역 신뢰성 분석

임동주 ,  최인철 ,  노태문 외 1명

대한전자공학회 학술대회

2003 .11

Super Junction MOSFET의 개발 현황 및 전망

윤종만

전자공학회지

2010 .08

불규칙한 소오스/드레인 금속 접촉을 갖는 비대칭 n-MOSFET의 전기적 특성 및 모델

공동욱 ,  정환희 ,  이재성 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1999 .11

Spacer Material Dependent Source / Drain Junction Leakage Current

엄재철 ,  박효식 ,  우영락 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

EPS용 MOSFET 드레인 전류 측정 방법에 관한 연구

원우석 ,  이형욱 ,  고수현 외 5명

한국자동차공학회 춘 추계 학술대회 논문집

2008 .11

Optimizing Effective Channel Length to Minimize Short Channel Effects in Sub-50 ㎚ Single/Double Gate SOI MOSFETs

Sudhansh Sha ,  ma ,  Pawan Kuma

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2008 .06

Two-Dimensional Non-local Impact Ionization Model for the Calculation of Substrate Current in Submicron SI MOSFET`s

Joon Woo Nam ,  Ting Wei Tang

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1997 .01

전하 불균형 효과를 고려한 Super Junction MOSFET

강이구

전기전자재료학회논문지

2014 .01

Switching Behavior Analysis of Super-Junction MOSFET

Sungmo Young

전력전자학회 학술대회 논문집

2013 .07

SUBMICRON DEVICE RELIABILITY RESEARCH

Chenming Hu

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1989 .01

이온 주입한 MOSFET에 대한 Threshold 전압의 모델링 MOSFET의 제작 및 평가 ( Threshold Voltage Modeling of Ion-Implanted MOSFET`s )

유종선 ,  김여환 ,  김보우

대한전자공학회 학술대회

1984 .01