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D MOS , V MOS tr. 등 특수구조를 갖는 MOS소자의 설계
대한전자공학회 단기강좌
1983 .01
MOS 소자의 특성에 어닐링 방법이 미치는 영향 ( Effects of Annealing Method in MOS Devices Properties )
대한전자공학회 학술대회
1987 .05
MOS 구조의 특성
대한전기학회 학술대회 논문집
1986 .07
동작속도가 빠른 Mo2N/Mo 게이트 MOS 집적회로 ( High Speed Mo2N/Mo-Gate MOS Integrated Circuit )
전자공학회지
1985 .07
탄소나노튜브를 첨가한 4H-SiC MOS 캐패시터의 전기적 특성
전기전자재료학회논문지
2014 .01
플라즈마 식각 공정이 N2O 산화막과 순수한 산화막을 갖는 MOS 소자 특성에 미치는 영향에 관한 연구 ( A Study on the Effect of Plasma Etching Process on the Characteristics of MOS Devices with N2O and Pure Gate Oxides )
전자공학회논문지-A
1996 .09
p-GaAs 반도체 계면에서 정공주입효과와 수소Gas 발생에 관한 연구 ( A Study on Hole Injection Effects and Hydrogen Gas Evolutions at the p-GaAs Semiconductor Interfaces )
전자공학회논문지-A
1991 .06
Characterization and Design Consideration of I-MOS Devices
ITC-CSCC :International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications
2006 .07
A Study on the Energy Distribution of Interface Traps in MOS Devices Under Non-Steady-State
전기의세계
1977 .11
MOS Processing
대한전자공학회 단기강좌
1982 .01
유기박막트랜지스터의 계면트랩 분석
대한전자공학회 학술대회
2008 .11
[Semiconductors, Materials and VLSI Design] Effects of the interface traps on MOS structure based on Si nano-crystals
전자공학회논문지-IE
2004 .06
MOS 영상 소자의 출력 회로 분석 ( Analysis of Output Circuits of the MOS Image Sensor )
대한전자공학회 학술대회
1988 .11
얇은 Si 산화막을 지닌 MOS 구조의 전기적 특성
대한전기학회 학술대회 논문집
1984 .07
정확환 Field Enhancement Factor를 고려하여 트랩 종류에 따른 트랩사이 거리 추출
대한전자공학회 학술대회
2015 .06
PMOS에 적합한 Mo 전극의 전기적 화학적 안정성
전자공학회논문지-SD
2004 .04
384X485개의 화소를 가지는 MOS 영상 감지소자 ( A MOS Image Sensor with 384X485 Pixels )
전자공학회논문지
1988 .11
극저 C-Si-Mn-Ni-Mo 용착금속에 있어 Mo의 영향 ( The effect of Mo in the low C-Si-Mn-Ni-Mo weld metal )
대한용접학회 특별강연 및 학술발표대회 개요집
1999 .01
박막 MOS 구조의 고정표면전하에 관한 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
1989 .11
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