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Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. THEORY
Ⅲ. EXPERIMENT
Ⅳ. RESULTS AND DISCUSSION
Ⅴ. CONCLUSION
REFERENCES
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MOS 구조의 특성
대한전기학회 학술대회 논문집
1986 .07
동작속도가 빠른 Mo2N/Mo 게이트 MOS 집적회로 ( High Speed Mo2N/Mo-Gate MOS Integrated Circuit )
전자공학회지
1985 .07
D MOS , V MOS tr. 등 특수구조를 갖는 MOS소자의 설계
대한전자공학회 단기강좌
1983 .01
금속 산화막-반도체 ( MOS ) 소자의 계면전하 발생에 미치는 정공과 수소의 역할 ( The Roles of Hydrogen and Trapped Holes in the Generation of Interface Traps in MOS Devices )
대한전자공학회 학술대회
1996 .07
Characterization and Design Consideration of I-MOS Devices
ITC-CSCC :International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications
2006 .07
MOS Processing
대한전자공학회 단기강좌
1982 .01
非正規分布에 對한 工程能力 評價에 關한 比較 硏究
한국산업정보학회논문지
2000 .09
MOS 소자의 특성에 어닐링 방법이 미치는 영향 ( Effects of Annealing Method in MOS Devices Properties )
대한전자공학회 학술대회
1987 .05
자기 정렬된 Mo2N/Mo 게이트 MOSFET의 제조 및 특성 ( Fabrication of Self-Aligned Mo2N/Mo-Gate MOSFET and Its Characteristics )
전자공학회지
1984 .11
자기 정렬된 Mo2N / Mo 게이트 MOSFET의 제조 및 특성 ( Fabrication of Self-Aligned Mo2N / Mo-Gate MOSFET and Its Characteristics )
대한전자공학회 학술대회
1984 .01
Submicron MOS Devices
ICVC : International Conference on VLSI and CAD
1991 .01
2.25Cr-1Mo강에서 Mo 함량에 따른 고온환경에서의 용접부 미세조직 및 물성변화
대한용접학회 특별강연 및 학술발표대회 개요집
2010 .05
Reduction of Breakdown Voltage in I-MOS Devices
대한전자공학회 학술대회
2006 .06
극저 C-Si-Mn-Ni-Mo 용착금속에 있어 Mo의 영향 ( The effect of Mo in the low C-Si-Mn-Ni-Mo weld metal )
대한용접학회 특별강연 및 학술발표대회 개요집
1999 .01
에너지 전송을 고려한 2 차원 MOS 소자 시뮬레이터 ( Two Dimensional MOS Device Simulator including Carrier Energy Transport )
대한전자공학회 학술대회
1991 .01
D.C. 마그네트론 스퍼터링법으로 제조된 MoS₂ 및 MoS₂-Ti 박막의 윤활특성에 관한 연구
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2000 .11
MOS Capacitor
대한전자공학회 단기강좌
1982 .01
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