384X485개의 화소를 가지는 MOS 영상 감지소자 ( A MOS Image Sensor with 384X485 Pixels )

박상식 ,  박창배 ,  이종덕

전자공학회논문지

1988 .11

D MOS , V MOS tr. 등 특수구조를 갖는 MOS소자의 설계

성만영

대한전자공학회 단기강좌

1983 .01

동작속도가 빠른 Mo2N/Mo 게이트 MOS 집적회로 ( High Speed Mo2N/Mo-Gate MOS Integrated Circuit )

김진섭 ,  이우일 ,  이대우 외 1명

전자공학회지

1985 .07

MOS 구조의 특성

성영권 ,  여권 ,  이상훈

대한전기학회 학술대회 논문집

1986 .07

MOS 집적회로의 신뢰도

박계영

전자공학회지

1969 .11

MOS Processing

이종덕

대한전자공학회 단기강좌

1982 .01

A 32×33 Photo-elements MOS Image Sensor

Sang Sik Pa ,  k ,  Jeong Ok Pa 외 2명

대한전기학회 학술대회 논문집

1987 .07

A 32 × 33 Photo-elements MOS Image Sensor

박상식 ,  박정옥 ,  이종덕

대한전자공학회 학술대회

1987 .07

384 × 485개의 화소를 가지는 NTSC 방식 MOS형 영상 소자 ( A MOS Image Sensor with 384 × 485 Pixels for NISC system )

박상식 ,  김대규 ,  노영배 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1988 .01

자기 정렬된 Mo2N / Mo 게이트 MOSFET의 제조 및 특성 ( Fabrication of Self-Aligned Mo2N / Mo-Gate MOSFET and Its Characteristics )

김진섭 ,  이종현 ,  이덕동 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1984 .01

자기 정렬된 Mo2N/Mo 게이트 MOSFET의 제조 및 특성 ( Fabrication of Self-Aligned Mo2N/Mo-Gate MOSFET and Its Characteristics )

김진섭 ,  이종현 ,  이덕동 외 1명

전자공학회지

1984 .11

MOS 소자의 특성에 어닐링 방법이 미치는 영향 ( Effects of Annealing Method in MOS Devices Properties )

최원은 ,  장의구 ,  이종인

대한전자공학회 학술대회

1987 .05

Circuit Elements using Mos Transistors

김충기

대한전자공학회 단기강좌

1982 .01

2.25Cr-1Mo강에서 Mo 함량에 따른 고온환경에서의 용접부 미세조직 및 물성변화

최창현 ,  이해우

대한용접학회 특별강연 및 학술발표대회 개요집

2010 .05

저 전력 MOS 전류모드 논리 병렬 곱셈기 설계

김정범

전기전자학회논문지

2008 .12

PMOS에 적합한 Mo 전극의 전기적 화학적 안정성

노영진 ,  이충근 ,  홍신남

전자공학회논문지-SD

2004 .04

극저 C-Si-Mn-Ni-Mo 용착금속에 있어 Mo의 영향 ( The effect of Mo in the low C-Si-Mn-Ni-Mo weld metal )

강봉용 ,  김희진

대한용접학회 특별강연 및 학술발표대회 개요집

1999 .01

D.C. 마그네트론 스퍼터링법으로 제조된 MoS₂ 및 MoS₂-Ti 박막의 윤활특성에 관한 연구

안영환 ,  김선규

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2000 .11