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대한전자공학회 전자공학회논문지-IE 전자공학회논문지 TE편 제41권 제2호
발행연도
2004.6
수록면
11 - 16 (6page)

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최근 전자제품의 휴대화로 전원이 꺼져도 정보를 저장할 수 있는 비휘발성 메모리에 관한 여구가 활발히 이루어지고 있다. 본 논문에서는 기존의 비휘발성 메모리인 EEPROM 구조에서 부유 게이트로서 계면 포획과 결함이 존재하는 실리콘 나노 결정을 이용한 금속-산화물-반도체(MOS) 메모리 구조를 조사하였다. 나노 결정을 이용한 메모리 구조는 기존의 비휘발성 메모리에 비하여 구동전압이 낮고. 속도가 빠르며 많은 양의 정보를 저장하기 위한 집적도가 매우 우수하다. 그러나 실리콘 기판과 실리콘 산화막 사이 그리고 실리콘 나노 결정 표면에서의 전하 포획과 결함이 메모리 소자의 저장성에 큰 영향을 주기 때문에 계면 포획과 결함을 줄이는 실험을 하였다. 먼저 나노 결정 메모리의 저장 특성을 관찰하기 위하여 실은 (300K) 에서 1MHz의 고주파 전압-정전용량(C-V) 측정과 전류-전압(I-V) 특성을 관찰하였다. 그리고 마지막으로 열처리와 수소화를 통해서 메모리 특성의 원인을 분석하였다.

목차

요약

Abstract

1. Introduction

2. Experimental Details

3. Results and Discussions

4. Conclusion

Acknowledgements

References

저자소개

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2009-569-014099035