채널도핑강도에 대한 이중게이트 MOSFET의 DIBL분석

정학기

한국정보통신학회논문지

2012 .03

정사각형 단면채널에 의한 다중채널 MOSFET의 전기적 특성 개선

조광현 ,  김수경 ,  손병일 외 1명

한국정보과학회 영남지부 학술발표논문집

2007 .12

Sub-micron 규모의 매몰 채널 ( Buried-Channel ) P-MOSFETs 에서의 핫-캐리어 현상 ( Hot-Carrier Effects in Sub-micron Scaled Buried-Channel P-MOSFETs )

정윤호 ,  김종환 ,  노병규 외 2명

전자공학회논문지-A

1996 .10

비대칭 DGMOSFET에서 채널길이와 두께 비에 따른 DIBL 의존성 분석

정학기

한국정보통신학회논문지

2015 .06

쇼트키 클램프 소오스와 드레인을 갖는 P-채널 MOSFET ( A New P-Channel MOSFET Structure with Schottky-Clamped Source and Drain )

오춘식 ,  고요환 ,  김충기

대한전자공학회 학술대회

1984 .01

Buried Channel MOS 구조를 이용한 표면생성속도 측정 방법 ( A Surface Generation Velocity Measurement Technique Using the Buried Channel MOS Structure )

조성호 ,  허연철 ,  이종덕

전자공학회논문지-A

1992 .07

고 집적을 위한 n-channel MOSFET의 소오스/드레인 구조의 특성 비교에 관한 연구 ( A Study on the Characteristics Comparison of Source/Drain Structure for VLSI in n-channel MOSFET )

류장렬 ,  홍봉식

전자공학회논문지-A

1993 .12

협폭 buried-channel Charge Coupled Devices의 최대 채널전위 계산방법

계훈우 ,  김태한 ,  김철성

대한전자공학회 학술대회

1995 .06

드레인 전압변화 스트레스에 의한 P-MOSFET의 열화 특성 ( Degradation Characteristics of p-MOSFET's by Various Drain Voltage stress )

정연식 ,  권상수 ,  이용재

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

드레인이 As-P의 이중 확산구조를 갖는 MOSFET의 제작 및 평가 ( The Fabrication and Evaluation of an As-P Double Diffused Drain MOSFET )

김광수 ,  백규하 ,  김보우

대한전자공학회 학술대회

1984 .01

5G/6G 통신 채널 특성 및 채널 모델 분석

박현아 ,  강민혁 ,  전상운

한국통신학회 학술대회논문집

2020 .02

Impact of Energy Relaxation of Channel Electrons on Drain-Induced Barrier Lowering in Nano-Scale Si-Based MOSFETs

Ling-Feng Mao

[ETRI] ETRI Journal

2017 .04

유효 채널길이를 고려한 n형 단채널 MOSFET의 문턱전압 모형화 ( Threshold Voltage Modeling of an n-type Short Channel MOSFET Using the Effective Channel Length )

김능연 ,  박봉임 ,  서정하

전자공학회논문지-T

1999 .06

Si_1-xGe_x p-MOSFET 단채널효과의 해석학적 모델

남성진 ,  정윤하

대한전자공학회 학술대회

1995 .12

DGMOSFET에서 채널길이와 두께 비에 따른 문턱전압변화분석

정학기

한국정보통신학회논문지

2010 .10

가우스분포를 이용한 이중게이트 MOSFET의 드레인유기장벽감소 분석

정학기

한국정보통신학회논문지

2012 .02

전계 효과 트랜지스터로 제어하는 전계 방출 소자의 시뮬레이션에 의한 특성 평가

김진호 ,  길태현 ,  윤상한 외 2명

대한전기학회 학술대회 논문집

1998 .07

Schottky 장벽 접합을 이용한 MOS형 소자의 소오스 / 드레인 구조의 특성 ( The characteristics of source / drain structure for MOS typed device using Schottky barrier junction )

류장렬

전자공학회논문지-T

1998 .06

작동중인 모스 전계 효과 트랜지스터 단면에서의 상대온도 및 전위 분포 측정

권오명

대한기계학회 논문집 B권

2003 .07

LDD MOSFET의 유효 채널길이 측정법에 관한 연구

박근영 ,  허윤종 ,  이계신 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

1992 .07