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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2012.2
- 수록면
- 325 - 330 (6page)
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본 연구에서는 차세대 나노소자인 이중게이트(Double gate; DG) MOSFET에서 발생하는 단채널효과 중 하나인 드레인유기장벽감소(Drain Induced Barrier Lowering; DIBL)에 대하여 분석하였다. 포아송방정식을 풀어 전위분포에 대한 분석학적 해를 구할 때 전하분포함수에 대하여 가우시안 함수를 사용함으로써 보다 실험값에 가깝게 해석하였으며 이때 가우시안 함수의 변수인 이온주입범위 및 분포편차 그리고 소자 파라미터인 채널의 크기, 도핑강도 등에 대하여 드레인유기장벽감소의 변화를 관찰하고자 한다. 본 연구의 모델에 대한 타당성은 이미 기존에 발표된 논문에서 입증하였으므로 본 연구에서는 이 모델을 이용하여 드레인유기장벽감소에 대하여 분석한 결과 드레인유기장벽감소 현상은 채널의 구조 및 도핑강도에 따라 매우 급격히 변화하는 것을 알 수 있었다.
목차
요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 이중게이트 MOSFET와 포아송방정식의 해
Ⅲ. 드레인유기장벽감소에 대한 고찰
Ⅳ. 결론
참고문헌
참고문헌 (8)
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1. [단행본] - S. Dimitrijev / 2006 / Principles of Semiconductor devices, 1st / Oxford Press
2. [학술대회논문] - S.Namana / 2010 / A Subthreshold Surface Potential Modeling of Drain/Source Edge Effect on Double Gate MOS Transistor / 2010 International Conference on Electronics and Information Engineering 1 : 87 ~ 91
3. [학술지(정기간행물)] - A. Sahoo / 2010 / A Computationally Efficient Generalized Poisson Solution for Independent Double-Gate Transistors / IEEE Trans. Electron Devices 57 (3) : 632 ~ 636
4. [학술대회논문] - P.K. Tiwari / 2009 / A 2D Analytical Model of the Channel Potential and Threshold Voltage of Double-Gate(DG) MOSFETs with Vertical Gaussian Doping Profile / IMPACT-2009 : 52 ~ 55
5. [학술지(정기간행물)] - A.S.Havaldar / 2006 / Subthreshold Current Model of FinFETs Based on Analytical Solution of 3-D Poisson's Equation / IEEE Trans. Electron Devices 53 (4) : 737 ~ 741
2. [학술대회논문] - S.Namana / 2010 / A Subthreshold Surface Potential Modeling of Drain/Source Edge Effect on Double Gate MOS Transistor / 2010 International Conference on Electronics and Information Engineering 1 : 87 ~ 91
3. [학술지(정기간행물)] - A. Sahoo / 2010 / A Computationally Efficient Generalized Poisson Solution for Independent Double-Gate Transistors / IEEE Trans. Electron Devices 57 (3) : 632 ~ 636
4. [학술대회논문] - P.K. Tiwari / 2009 / A 2D Analytical Model of the Channel Potential and Threshold Voltage of Double-Gate(DG) MOSFETs with Vertical Gaussian Doping Profile / IMPACT-2009 : 52 ~ 55
5. [학술지(정기간행물)] - A.S.Havaldar / 2006 / Subthreshold Current Model of FinFETs Based on Analytical Solution of 3-D Poisson's Equation / IEEE Trans. Electron Devices 53 (4) : 737 ~ 741
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