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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2007.6
- 수록면
- 257 - 260 (4page)
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In this study, CuInSe₂ (CISe) and CuInZnSe₂ (CIZSe) thin films were prepared on Corning 1737 glass by radio frequency (RF) magnetron sputtering from binary chalcogenide mixed powder targets. The targets were initially prepared by mixing appropriate weights of CuSe, InSe powder and various ZnSe contents. From the film bulk analysis result, it is observed that Zn concentration in the films increases proportionally with the addition of ZnSe in the sputtering targets. Under optimized conditions, CISe and CIZSe thin films grow as a chalcopyrite structure with strong (112), (220/204) and (312/116) reflections. Films are found to exhibit a high absorption coefficient of 10<sup>4</sup> cm<sup>-1</sup>. An increasing of optical band gap from 1.0 eV (CISe) to 1.25 eV (CIZSe) is found to be proportional with an increasing of Zn concentration as expected. All films have a p-type semiconductor characteristic with a carrier concentration in the order of 1014 cm<sup>-3</sup>, a mobility about 10<sup>1</sup> cm<sup>2</sup>·<sup>-1</sup>·s<sup>-1</sup> and a resistivity at the range of 10<sup>2</sup>-10<sup>6</sup>W·m.
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