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한국신재생에너지학회 한국신·재생에너지학회 학술대회 초록집 한국신재생에너지학회 2007년도 추계학술대회 논문집
발행연도
2007.11
수록면
270 - 273 (4page)

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In this report, Indium-free and Indium-reduced thin film materials for solar absorber were studied in order to search alternative materials for thin film solar cell. The films of Cu₂ZnSnSe₄ and Cu₂ZnSnSe₂ were deposited using mixed binary chalcogenides powders. From the film bulk analysis result, it is observed that Cu concentration is a function of substrate temperature as well as CuSe mole ratio in the target. Under optimized conditions, Cu₂ZnSnSe₄ and Cu₂ZnSnSe₂ thin films grow with strong (112), (220/204) and (312/116) reflections. Films are found to exhibit a high absorption coefficient of 10⁴ cm^{-1}. Cu₂ZnSnSe₄ film shows a 1.5 eV band gap. On the other side, an increasing of optical band gap from 1.0 eV to 1.25 eV (CuInSnSe₂) is found to be proportional with an increasing of Zn concentration. All films have a p-type semiconductor characteristic with a carrier concentration in the order of 10^{14} cm^{-3}, a mobility about 10¹ cm^{2{cdot}-1.}S^{-1} and a resistivity at the range of 10²-10<sup>6</sup> {Omega}{cdot}m.

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