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저자정보
민관홍 (청주대학교) 유정재 (청주대학교) 정상현 (청주대학교) 연제민 (청주대학교) 김광호 (청주대학교)
저널정보
한국정보기술학회 한국정보기술학회논문지 한국정보기술학회논문지 제12권 제3호(JKIIT, Vol.12, No.3)
발행연도
2014.3
수록면
9 - 14 (6page)
DOI
10.14801/kiitr.2014.12.3.9

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본 연구는 태양전지에 적용시키기 위하여 p-Si(100) 기판위에 a-Si(n<SUP>+</SUP>)박막을 증착한 이종접합 a-Si(n+)/p-Si(100)구조에 있어서 a-Si(n+)박막 Ohmic 특성을 평가하였다. a-Si(n<SUP>+</SUP>)박막은 RF 마그네트론 스퍼터링법으로 Si(n+, 0.001-0.005Ω·cm, dopant; As)타겟을 스퍼터링하여 증착하였다. 증착된 a-Si(n+)박막의 특성평가를 위해 석영(Quartz)기판 위에 증착하여 4-point probe로 전기적 특성을 평가하였고, XRD(X-Ray Diffraction)로 구조적 특성을 평가 하였다. a-Si(n<SUP>+</SUP>)박막 Ohmic 특성을 평가하기 위한 TLM(Transmission Line Model) 패턴의 전극을 형성시켜 금속과 실리콘 계면의 접촉저항을 개선시키기 위한 타이실리사이드(TiSiX)를 형성하였다. TLM법 패턴 제작을 위해 a-Si(n+)/p-Si(100) 구조위에 Ag/TiSiX층을 제작하였으며, 전극 Ag/TiSiX의 열처리 온도(800-950℃) 및 시간(2-10sec)에 따른 특성변화를 관찰하여 4-point probe로 특성을 평가하였고, pA meter(HP 4140B)를 이용하여 이종접합 a-Si(n<SUP>+</SUP>)/p-Si(100)구조의 a-Si(n<SUP>+</SUP>)박막 Ohmic 특성을 측정하였다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험 방법
Ⅲ. 실험 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
References

참고문헌 (12)

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