갈륨나이트라이드기반 발광다이오드의 정전기방전 피해 방지에 대한 연구

최성재; 이원식

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자료유형: 학술저널

저자정보: 최성재 (경원대학교 IT대학 전자통신공학부 전자공학과) 이원식 (경원대학교 교양대학 자율전공학부)

저널정보: 한국인터넷방송통신학회 한국인터넷방송통신학회 논문지 한국인터넷방송통신학회 논문지 제8권 제6호

발행연도: 2008.1

수록면: 35 - 40 (6page)

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최근 사파이어기판 위에 성장한 갈륨나이트라이드 발광다이오드의 소자 제작 기술이 비약적으로 발전하였다. 하지만 이들 다이오드가 이미 상업적으로 활용되고 있다 할지라도 갈륨나이트라이드 발광다이오드에 있어서 다이오드를 구성하는 물질들과 소형화에 따른 정전기 방전에 의한 피해를 고려해야한다. 정전기방전(ESD)에 의한 피해는 발광소자의 신뢰성에 매우 큰 영향을 주는 파라미터중 하나이다. 본 연구에서는 대량생산 되는 발광다이오드의 생산공정에서 발생하는 정전기방전에 의한 피해와 이에 대한 대책을 논의하였다. 대부분의 ESD 문제는 장비의 적정한 사용과 공정 환경 개선을 통해서 제어되었다.

#Light Emitting Diode #Electro-Static Discharge #Mass Production #GaN-based LEDs

참고문헌 (11)

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S. J. Chang / 2003 / Nitride-based LEDs with p-InGaN capping layer / IEEE Trans. Electron Dev 50(12):2567~2570

S. Nakamura / 1993 / p-GaN/n-InGaN/n-GaN double-heterostructure blue-light-emitting diodes / Jpn. J. Appl. Phys. Lett 32(1):8~11

S. Nakamura / 1994 / High-brightness InGaN/AlGaN double -heterostructure blue-light-emitting diodes / J. Appl. Phys 76(12):8189~8191

C. H. Chen / 2002 / Nitride-based cascade near white light emitting diodes / IEEE Photon. Technol. Lett 14(7):908~910

김성민 / 1991 / 반도체 부품의 ESD 불량 모델과 ESD감도 시험방법 / 전자통신동향분석 :20~33

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이 논문의 저자 정보

최성재

소속기관 가천대학교 전자공학과

주요연구분야 공학 > 컴퓨터학

논문수 10 이용수 73

이원식

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