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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
이승연 (공주대학교) 류장열 (공주대학교) 윤석범 (공주대학교)
저널정보
한국정보기술학회 한국정보기술학회논문지 한국정보기술학회논문지 제9권 제5호
발행연도
2011.5
수록면
35 - 40 (6page)

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450㎚ 파장을 갖는 GaN 기반의 LED를 제작하였다. P-pad 전극과 p-GaN 층 사이에 SiO2 절연 산화막 층을 넣음으로써 전류 확산을 더 좋게 하였고 광출력을 10% 증가시킬 수 있었다. 또한 절연층의 넓이 와 직경을 다르게 하여 LED를 제작하였고 그 절연층의 직경과 넓이는 각각 105㎛/12㎛ 와 100㎛/6㎛이었다. 측정 결과로서 100㎛/6㎛의 직경과 넓이를 갖는 소자에서 광출력이 평균 445mcd로 높게 나타났다. 인가전압의 경우 평균 값이 3.2V～3.5V로 분포되었다.
#GaN blue LED #insulating layer #SiO2 #P-Pad

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. LED 제작 및 실험방법
Ⅲ. 실험 결과 및 고찰
Ⅴ. 결론
참고문헌
저자소개

참고문헌 (16)

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1. [단행본] - E. Fred Schubert / 2006 / Light Emitting Diodes / Cambridge : 1 ~ 19 google schola 2. [학술지(정기간행물)] - Roland Wezel Gaerhard / 2001 / Semiconducter Processing 4 / Materals Science 4 : 367 ~ google schola 3. [학술지(정기간행물)] - E. F. Schubert / 2005 / Solid-state light sources getting smart / Science 308 : 1274 ~ google schola 4. [학술지(정기간행물)] - Y. J. Lee / 2006 / Enhancing the output power of GaN-based / IEEE Photonics Technol 18 : 1152 ~ google schola 5. [학술지(정기간행물)] - W. H. Lan / 2005 / Wavelength shift of gallium nitride light emitting diode with p-down structure / IEEE Trans. Electron Devices 52 : 1217 ~ google schola

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