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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2001.8
- 수록면
- 54 - 61 (8page)
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High-bandwidth DRAM을 위해 1Gb/s의 데이터 전송률까지 동작하고 그 출력 전압 스윙이 온도와 전원 잔압(VDD) 변동에 무관한 CMOS open-drain 출력 구동 회로를 설계하였다. 출력 구동 회로는 여섯 개의 binary-weighted NMOS 트랜지스터로 구성되는데, 이 여섯 개 중에서 ON시킬 current control register의 내용은 추가 회로 없이 DRAM 칩에 존재하는 auto refresh 신호를 이용하여 새롭게 수정하였다. Auto refresh 시간 구간동안 current control register를 수정하는데, 이 시간 구간동안 부궤환 (negative feedback) 동작에 의해 low level 출력 전압(V<SUB>OL</SUB>)이 저전압 밴드갭 기준전압 발생기(bandgap reference voltage generator)에 의해서 만들어진 기준전압(V<SUB>OL.ref</SUB>)과 같도록 유지된다. 테스트 칩은 1Gb/s 의 데이터 전송률까지 성공적으로 동작하였다. 온도 20℃~90℃, 전원 전압 2.25V~2.75V 영역에서 최악의 경우 제안된 출력 구동 회로의 V<SUB>OL.ref</SUB>와 V<SUB>OL</SUB>의 변동은 각각 25%와 7.5%로 측정된 반면, 기존의 출력 구동 회로의 V<SUB>OL</SUB>의 변동은 같은 온도와 전원 전압의 영역에 대해 24%로 측정되었다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 회로 설명
Ⅲ. 측정결과 및 분석
Ⅳ. 결론
참고문헌
저자소개
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