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대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 電子工學會論文誌 SD編 第43卷 第12號
발행연도
2006.12
수록면
1 - 7 (7page)

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본 논문에서는 자동 온도 보상 기법을 사용한 on-chip CMOS 내부 전원 전압 발생기를 제안하였다. PMOSFET의 경우, 게이트 바이어스 전압에 따라 온도의 변화에 대한 소오스-드레인간 전류 특성이 달라진다. 제안된 내부 전원 전압 발생기는 서로 다른 게이트 바이어스 전압에 두 개의 PMOSFET를 놓고, 이의 온도에 대한 서로 상이한 소오스-드레인간 전류 특성을 이용하여 내부 전원 전압 발생기 전체의 온도 의존도를 줄였다. 제안된 회로는 동부-아남 0.18㎛ 공정을 이용하여 제작되었으며, 측정 결과로 내부 전원 전압은 -10℃~100℃의 범위에서 -0.49㎷/℃의 온도 의존도를 보였으며 2.2V~4.0V의 동작 범위에서 외부 전압에 대하여 내부 전원 전압의 변화는 6mV/V를 나타내었다. 전체 전류소모는 1.1㎂@2.5V로 저전력을 구현할 수 있었다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 실험
Ⅳ. 결론
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