Analytical Modeling of Radial Channel Potential and Surface Charge Density of Cylindrical MOSFET Devices under Arbitrary Surface Potentials

Seongjae Cho; Il Han Park; Jung Hoon Lee; Yun Kim; Hyungcheol Shin; Byung-Gook Park

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저자정보: Seongjae Cho (서울대학교) Il Han Park (서울대학교) Jung Hoon Lee (서울대학교) Yun Kim (서울대학교) Hyungcheol Shin (서울대학교) Byung-Gook Park (서울대학교)

저널정보: 대한전자공학회 ITC-CSCC :International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications ITC-CSCC : 2009

발행연도: 2009.7

수록면: 1,213 - 1,214 (2page)

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In this work, analytical modeling of channel potential and surface charge density for gate-all-around (GAA) and silicon nanowire (SNW) MOSFET devices. It is postulated that the silicon channel is undoped or very lightly doped under arbitrary surface potential. Based on the radial potential functions, channel and center potentials are investiga ... 전체 초록 보기

#gate-all-around(GAA) #silicon nanowire #undoped channel #surface potential #surface charge density #Poisson's equation

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