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박경우 (호서대학교) 권정태 (호서대학교) 박상린 (호서대학교) 한재현 (호서대학교) 이헌 (호서대학교) 김광수 (국제엘렉트릭코리아)
저널정보
대한기계학회 대한기계학회 춘추학술대회 대한기계학회 2010년도 추계학술대회 강연 및 논문 초록집
발행연도
2010.11
수록면
2,412 - 2,417 (6page)

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PECVD process has taken advantages of a fast process of manufacture and low cost of production because it is operated at lower temperature than that of existing process. In CVD process, the wafer quality is mainly dependent on the uniformity of film thickness and the film density may reduce due to a low temperature process. In the present work, numerical analyses are carried out to improve the deposition performance of annealing chamber. To do this, governing equations are solved by CFD and TDMAS ([(CH3)2N]3SiH) is considered as the working fluid. In addition, the effect of inlet velocity of O2 and position and length of nozzle on the deposition rate and uniformity are investigated numerically and the computational results are compared with those of experiments.
#CFD/HT(전산열/유체역학) #CVD chamber(화학증착 챔버) #Deposition rate(증착율) #Deposition thickness(증착두께) #Low temperature process(저온공정) #Nozzle(노즐) #Susceptor(반응부) #Uniformity(균일도)

목차

Abstract
1. 서론
2. 이론해석
3. 실험
4. 결과 및 고찰
5. 결론
참고문헌

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