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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2010.7
- 수록면
- 1,920 - 1,921 (2page)
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본 연구는 과도방사선(transient radiation)에 의한 CMOS 소자에서의 광전효과로 인한 Upset 및 레치업 특성을 평가하기 위한 실측체계의 구축방법에 대한 연구와 이러한 실측체계를 기반으로 한 실제 상용반도체소자에 과도방사선 실측시험을 수행하여 핵방사선에 따른 전자소자들의 피해양상에 전반적인 형태를 확인하기 목적으로 진행되었다.
이번 과도방사선 실측평가시험은 60MeV, 100㎃의 전자빔펄스를 출력 ... 전체 초록 보기
이번 과도방사선 실측평가시험은 60MeV, 100㎃의 전자빔펄스를 출력 ... 전체 초록 보기
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