지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2013.7
- 수록면
- 245 - 248 (4page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (2)
- 이 논문의 후속연구가 궁금하신가요?
- 연관 학술논문 또는 학술발표를 통해 보다 발전된 연구결과를 확인하실 수 있습니다.
- 이 논문의 연구 히스토리 확인하기
초록· 키워드
오류제보하기
Electronic systems may be cause of various serious failures due to an ionizing radiation effect when exposed to a prompt gamma-ray pulse. This transient electrical malfunction can, in some cases, results in a failure of the electronic system of which the circuits are a part. Transient radiation measurement and evaluation system is required to development for enhanced radiation-resistance against the initial nuclear radiation produced by the detonation of a nuclear weapon of semiconductor devices. In these studies, we performed the
following work. In the first part of the work, we carried out a SPICE simulation applied to nuclear radiation condition for PIN diode and we also investigated the photocurrent by a pulsed gamma-ray on a PIN diode using a TCAD simulation.
following work. In the first part of the work, we carried out a SPICE simulation applied to nuclear radiation condition for PIN diode and we also investigated the photocurrent by a pulsed gamma-ray on a PIN diode using a TCAD simulation.
목차
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론 및 향후 연구 방향
참고문헌
참고문헌 (0)
참고문헌 신청이 논문의 저자 정보
이 논문과 함께 이용한 논문
반도체 소자의 과도펄스감마선 영향 모델링 및 시뮬레이션
이남호
,
이승민
전기학회논문지
2010
.09
핵! 우리가 얼마나 알고 있나(1) : 무기의 원리와 효과에 대한 고찰
강응태
,
박종석
국방과 기술
2007
.03
고출력전자기파에 의한 반도체부품의 고장메커니즘 고찰
김동신
,
구용성
,
김주희
외 3명
한국산학기술학회 논문지
2017
.06
고준위 펄스방사선에 의한 전자소자 Latchup의 발생시험 및 분석
이남호
,
황영관
,
정상훈
외 1명
한국정보통신학회논문지
2014
.12
CMOS 소자에서 과도방사선펄스에 의한 Dose-Rate Latchup 모의실험
이현진
,
이남호
,
황영관
대한전자공학회 학술대회
2008
.06
최근 본 자료
댓글(0)
0
UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2014-560-002399693