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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2006.3
- 수록면
- 1 - 8 (8page)
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본 논문에서는 채널 stress에 따른 Nano-scale CMOSFET의 소자 및 신뢰성 (HCI, NBTI)특성을 분석하였다. 잘 알려져 있듯이 NMOS는 tensile, PMOS는 compressive stress가 인가된 경우에 소자의 특성이 개선되었으며, 이는 전자와 정공의 이동도 증가에 의한 것임을 확인하였다. 그러나 신뢰성인 경우에는 소자 특성과는 다른 특성을 나타냈는데, NMOS와 PMOS 모두 tensile stress가 인가된 경우에 hot carrier 특성이 더 열화 되었으며, PMOS의 NBTI 특성도 tensile에서 더 열화 되었음을 확인하였다. 신뢰성을 분석한 결과, 채널의 tensile stress로 인하여 Si/SiO₂ 계면에서 interface trap charge의 생성과 산화막 내 positive fixed charge의 생성에 많은 영향을 끼침을 알 수 있었다. 그러므로 나노급 CMOSFET에 적용되는 strained-silicon MOSFET의 개발을 위해서는 소자의 성능 뿐 만 아니라 신뢰성 또한 고려되어야 한다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험 방법
Ⅲ. 실험 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
참고문헌
저자소개
참고문헌 (9)
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[학술지(정기간행물)] - A. Hamada / apr.1991. / A new aspect of mechanical stress effects in scaled MOS devices 38 : 895 ~ 900
[학술지(정기간행물)] - F. Ootsuka / 2000 / A highly dense, high-performance 130 nm node CMOS technology for large scale system-on-a-chip applications : 575 ~ 578
[학술지(정기간행물)] - A. Shimizu / 2001. / Local mechanical-stress control (LMC) a new technique for CMOS-performance enhancement : 433 ~ 436
[학술지(정기간행물)] - S. Ito / 2000 / Mechanical stress effect of etch-stop nitride and its impact on deep submicron transistor design : 247 ~ 250
[학술지(정기간행물)] - G. Scott / 1999 / NMOS drive current reduction caused by transistor layout and trench isolation induced stress : 827 ~ 830
[학술지(정기간행물)] - F. Ootsuka / 2000 / A highly dense, high-performance 130 nm node CMOS technology for large scale system-on-a-chip applications : 575 ~ 578
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