지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2012.11
- 수록면
- 236 - 239 (4page)
이용수
초록· 키워드
오류제보하기
본 논문에서는 GaN 소자의 AC특성 측정회로 연구에 대해 논하였다. GaN 소자는 공정상 Normallyon과 Normally-off 두 가지 소자로 구분된다. Normally-on 소자는 Negative V<SUB>gs(th)</SUB>를 가지며 Normally-off 소자는 positive V<SUB>gs(th)</SUB>를 가진다. 따라서 두 종류의 소자를 스위칭 하기 위한 Gate 구동 회로는 서로 다르게 구성되어야 한다. 본 논문에서는 Normally-off 소자를 위한 드라이브 IC 로 두 종류의 소자가 모두 스위칭이 되는 것을 확인하였다. 또한 일반적인 스위칭 테스트 회로에서는 <SUB>RDS(on) </SUB>측정 시에 부하저항의 용량에 따른 문제가 발생하기 때문에 저항이 없는 스위칭 테스트 회로를 고안하고 제작함으로써 고전압에서도 저항 용량의 문제없이 R<SUB>DS(on)</SUB>측정이 가능하다는 것을 입증하였다.
목차
Abstract
1. 서론
2. 본론
3. 결론
참고문헌
참고문헌 (0)
참고문헌 신청이 논문의 저자 정보
이 논문과 함께 이용한 논문
차세대 파워디바이스 SiC/GaN의 산업화 및 학술연구동향
조만
,
구영덕
에너지공학
2013
.03
갈륨 나이트라이드 기반의 전력소자 구동회로 요건에 대한 연구
이지용
,
김준식
,
박시홍
대한전자공학회 학술대회
2012
.11
AlGaN/GaN MOSHFET의 스위칭 측정에 따른 다이나믹 온 저항 추출에 관한 연구
이정연
,
김송송
,
임수연
외 4명
대한전자공학회 학술대회
2014
.11
산화갈륨 희생층을 이용한 AlGaN/GaN-on-Si HFET의 특성 개선 연구
이재길
,
차호영
전자공학회논문지
2014
.02
r-plane 사파이어 기판 위에 성장한 무분극 a-plane GaN 층의 전기적 비등방성 연구
김재범
,
김동호
,
황성민
외 1명
전자공학회논문지-SD
2010
.08
최근 본 자료
댓글(0)
0
UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2014-560-001046637