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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.10 No.2
- 발행연도
- 2010.6
- 수록면
- 160 - 164 (5page)
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The radio frequency (RF) model of SOI FinFETs with gate length of 40 nm is verified by using a 3-dimensional (3-D) device simulator. This paper shows the equivalent circuit model which can be used in the circuit analysis simulator. The RMS modeling error of Y-parameter was calculated to be only 0.3 %.
목차
Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. DEVICE STRUCTURE AND RF MODEL
Ⅲ. CONCLUSIONS
REFERENCES
참고문헌 (7)
참고문헌 신청
1. [학술대회논문] - A. A. Breed / 2004 / A small-signal, RF simulation study of multiple-gate and silicon-on insulator MOSFET devices / 2004 Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems : 294 ~ 297
2. [학술지(정기간행물)] - S. Jin / 2006 / NANOCAD Framework for Simulation of Quantum Effects in Nanoscale MOSFET Devices / Journal of Semiconductor Technology and Science 6 (1) : 1 ~ 9
3. [학술대회논문] - N.–K. Tak / 2004 / RF small signal modeling of tri-gate MOSFETs implemented on bulk Si wafers / 2004 Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems : 266 ~ 269
4. [학술지(정기간행물)] - G. Baccarani / 1999 / A compact doublegate MOSFET model comprising quantummechanical and nonstastic effect / IEEE Transaction on Electron Devices 46 (8) : 1656 ~ 1666
5. [학술지(정기간행물)] - I. M. Kang / 2006 / Non-quasi-static smallsignal modeling and analytical parameter extraction of SOI FinFETs / IEEE Transaction on Nanotechnology 5 (3) : 205 ~ 210
2. [학술지(정기간행물)] - S. Jin / 2006 / NANOCAD Framework for Simulation of Quantum Effects in Nanoscale MOSFET Devices / Journal of Semiconductor Technology and Science 6 (1) : 1 ~ 9
3. [학술대회논문] - N.–K. Tak / 2004 / RF small signal modeling of tri-gate MOSFETs implemented on bulk Si wafers / 2004 Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems : 266 ~ 269
4. [학술지(정기간행물)] - G. Baccarani / 1999 / A compact doublegate MOSFET model comprising quantummechanical and nonstastic effect / IEEE Transaction on Electron Devices 46 (8) : 1656 ~ 1666
5. [학술지(정기간행물)] - I. M. Kang / 2006 / Non-quasi-static smallsignal modeling and analytical parameter extraction of SOI FinFETs / IEEE Transaction on Nanotechnology 5 (3) : 205 ~ 210
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