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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2009.12
- 수록면
- 2,420 - 2,424 (5page)
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We have successfully demonstrated of metal-insulator-semiconductor (MIS) capacitors with Al₂O₃/p-Si structures. The Al₂O₃ film was grown at 200 ℃ on H-terminated Si wafer by atomic layer deposition (ALD) system. Trimethylaluminum [Al(CH₃)₃, TMA] and H₂O were used as the aluminum and oxygen sources. A cycle of the deposition process consisted of 0.1 s of TMA pulse, 10 s of N₂ purge, 0.1 s of H₂O pulse, and 60 s of N₂ purge. The 5 nm thick Al₂O₃ layer prepared on Si substrate by ALD exhibited excellent electrical properties, including low leakage currents, no mobile charges, and a good interface with Si.
목차
Abstract
1. 서론
2. 실험 방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
참고문헌
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