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이용수
Abstract
1. 서론
2. 실험
3. 결과 및 고찰
4. 결론
References
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절연층상에 인을 주입시킨 실리콘 박막의 RTA방법에 의한 재결정화 ( Recrystallization of Phosphorus Ion Implanted Silicon on Insulator ( SDI ) by RTA Method )
대한전자공학회 학술대회
1987 .07
급속 열처리 ( RTA ) 에 의한 실리콘 이온주입 갈륨 비소의 활성화 특성에 관한 연구 ( A study on the activation characteristics of silicon ion implanted GaAs by RTA )
대한전자공학회 학술대회
1987 .11
실리콘을 이온주입한 갈륨비소의 RTA에 의한 활성화 특성 ( Activation Characteristics of Si-Implanted GaAs by RTA )
한국통신학회 학술대회논문집
1987 .01
실리콘을 이온주입한 칼륨비소의 RTA에 의한 활성화 특성 ( Activation Characteristics of Si-Implanted GaAs by RTA )
특정연구 결과 발표회 논문집
1987 .01
RTA에 따른 Sr0.7Bi2.3Nb₂O9 박막의 표면특성
대한전기학회 학술대회 논문집
2013 .07
RTA시스템에서의 Water의 온도 Simulation과 제어방법 ( Water Temperature Simulation and Control Algorithm in RTA System )
대한전자공학회 학술대회
1987 .05
열산화 $Ta_{2}O_{5}$ 박막의 RTA후처리의 영향
한국재료학회 학술발표대회
1992 .01
산화물 박막 커패시터의 RTA 처리와 유전 특성에 관한 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
2001 .11
열산화 T${a_2}{O_5}$박막에 미치는 RTA후처리의 영향
한국재료학회지
1993 .01
반응로 벽면 반사효과를 고려한 RTA 설계 ( RTA design considered reactor side wall reflex effect )
대한전자공학회 학술대회
1988 .11
도판트가 주입된 비정질 실리콘 박막의 재결정화에 따른 전기적 성질의 비교
한국표면공학회지
1993 .06
CO2 레이저 열처리에 의한 SOI 구조에서의 다결정 실리콘의 재결정화 ( The Recrystallization of Polysilicon in SOI by CO2 Laser Annealing )
전자공학회논문지
1987 .11
RTA 처리에 의해 결정화된 PZT박막의 Crack 발생에 대한 연구
한국재료학회 학술발표대회
1998 .01
RTA 공정을 이용한 Cu2ZnSnSe4 광흡수층 박막 제조
한국신·재생에너지학회 학술대회 초록집
2013 .05
RTA에 적용이 가능한 붕소 확산 시뮬레이터의 제작
대한전자공학회 학술대회
1997 .11
RTA에 적용이 가능한 붕소 확산 시뮬레이터의 제작 ( Design of Boron Diffusion Simulator Applicable for RTA )
대한전자공학회 학술대회
1997 .11
Slip 현상을 줄이기 위한 RTA ( 고속열처리 ) 장치 설계모델링 ( RTA System Design Modeling to Reduce Slip )
대한전자공학회 학술대회
1988 .07
Slip 현상을 줄이기위한 RTA(고속열처리)장치 설계모델링
대한전기학회 학술대회 논문집
1988 .07
RTA 시스템에서의 온도제어와 웨이퍼상의 온도분포 Simulation ( Temperature Control and Wafer Temperature Distribution Simulation in RTA System )
전자공학회논문지
1988 .06
압력센스를 위한 SOI구조 재결정화 공정 최적화 ( The Optimum Condition of Process in the SOI Structures Recrystallization for Pressure Sensors )
한국통신학회 전문대학 논문지
1995 .01
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