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학술저널
저자정보
문환성 (한양대학교 금속공학과) 이재석 (한양대학교 금속공학과) 한성욱 (한양대학교 금속공학과) 박상균 (한양대학교 금속공학과) 양승지 (삼성종합기술원) 이재천 (한국자원연구소) 박종완 (한양대학교 금속공학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제3권 제3호
발행연도
1993.1
수록면
310 - 315 (6page)

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P-type(100)Si Wafer 위에 400$\AA$의 Ta를 증착하여 열산화법으로 ${Ta_2}{O_5}$박막을 형성시킴 후 RTA후처리를 통하여 절연파괴전장 특성 개선을 이루고자 하였다. 유전상수에 미치는 RTA후처리의 영향은 미약하지만 절연파괴전장을 나타내었으나 결정화 온도 이하의 RTA온도에서는 절연파괴전장이 5.4MV/cm로 RTA효과가 크게 나타났다. 이러한 RTA효과는 RTA온도 $575^{\circ}C$에서 flat band voltage shift가 RTA 시간에 따라 변화가 없는 것으로 미루어 보아 RTA효과는 계면 변화에 의한 것이 아님을 알 수 있었으며, RBS 분석을 통하여 ${Ta_2}{O_5}$1박막의 치밀화에 의한 것임을 확인할 수 있었다.

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