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이용수
Abstract
1. 서론
2. 본론
3. 결론
〔참고문헌〕
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Si+ 이온주입된 Si 기판의 결함형성 및 회복에 관한 연구 ( Characteristics of Si + - self implant Damage and Its Annealing Behavior )
전자공학회논문지-A
1994 .08
자연 산화막과 엑시머 레이저를 이용한 poly-Si/a-Si 이중 박막 다결정 실리콘 박막 트랜지스터
전기학회논문지 C
2000 .01
실리콘 이온 주입후 고상 결정화된 Poly-Si TFT의 전기적 특성 ( The Electrical Characteristics of Poly-Si TFT Using SPC Films After Si ion Implantation )
대한전자공학회 학술대회
1992 .11
선형열처리를 이용한 Si(100)/Si₃N₄∥Si(100)기판쌍의 직접접합
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2000 .11
새로운 방법에 의한 비정질 실리콘의 제작
한국태양에너지학회 학술대회논문집
1989 .05
Excimer-Laser Annealing for Low-Temperature Poly-Si TFTs
Journal of information display
2003 .01
실리콘 이온 주입후 고상 결정화시킨 다결정 실리콘 TFT의 전기적 특성 ( Electrical Characteristics of the Poly-Si TFT using SPC Films after Si Ion Implantation )
전자공학회논문지-A
1993 .10
선택적 레이저 어닐링을 이용하여 비정질 실리콘 오프셋을 갖는 Inverse Staggered 다결정 실리콘 박막 트랜지스터
대한전기학회 학술대회 논문집
1997 .07
TOP ELECTRODE ANNEALING EFFECTS IN SrBi$_2$Ta$_2$O$_9$/CeO$_2$/Si STRUCTURE
한국재료학회 학술발표대회
1998 .01
$SiO_2$ 위에 LP-CVD로 증착한 비정질 $Si/Si_{0.69}Ge_{0.31}, Si_{0.69}Ge_{0.31}Si$ 및 Si의 결정화 거동
한국재료학회 학술발표대회
1995 .01
선형열처리를 이용한 Si(100)/Si$_3$N$_4$∥Si (100) 기판쌍의 직접접합
한국재료학회지
2001 .01
Si(100)의 얇은 산화막을 통한 Co$Si_{2}$형성에 관한 연구
한국재료학회 학술발표대회
1997 .01
Si 이온주입결함이 B의 channeling 및 확산에 미치는 영향
대한전자공학회 학술대회
1993 .11
Si 이온주입결함이 B 의 channeling 및 확산에 미치는 영향 ( Effects of Si Ion Induced Defects on Channeling and Diffusion on B )
대한전자공학회 학술대회
1993 .11
선택적 결정화를 통한 채널에 비정질 영역을 갖는 새로운 다결정 실리콘 박막 트랜지스터
전기학회논문지
1997 .11
직접 접합된 Si-Si, Si-$SiO_2$/Si기판쌍의 접합 계면에 관한 연구
한국재료학회지
1994 .01
급속열처리에 따른 Si 이온주입 유기결함의 회복 거동 ( Annealing Behaviors of Various Defects in Si during Rapid Thermal Annealing )
대한전자공학회 워크샵
1996 .01
비정질 실리콘 박막에서 엑시머 레이저에 의한 붕소이온의 수평확산
대한전기학회 학술대회 논문집
2002 .07
Improvement of a-Si/c-Si Tandem Solar Cells Using nc-Si Tunneling Junction Layers
한국신·재생에너지학회 학술대회 초록집
2014 .11
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