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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2009.12
- 수록면
- 18 - 23 (6page)
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본 연구는 실리콘 기판과 실리콘 산화막 사이의 계면 트랩 밀도와 게이트 누설 전류를 조사하여, Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon (MONOS) 메모리 소자의 계면 트랩 특성의 수소-질소 열처리 효과를 조사하였다. 고속열처리 방법으로 850도에서 30초 동안 열처리한 MONOS 샘플들을 질소 가스와 수소-질소 혼합 가스를 사용하여 450도에서 30분 동안추가 퍼니스 열처리 공정을 수행하였다. 열처리 하지 않은 것, 질소, 수소-질소로 열처리 한 세 개의 샘플 중에서, 커패시터-전압 측정 결과로부터 수소-질소 열처리 샘플들이 가장 적은 계면 트랩 밀도를 갖는 것을 확인하였다. 또한, 전류-전압 측정 결과에서, 수소-질소 열처리 소자의 누설전류 특성이 개선되었다. 위의 실험 결과로부터, 수소-질소 혼합 가스로 추가 퍼니스 열처리의해 실리콘 기판과 산화막 사이의 계면 트랩 밀도를 상당히 줄일 수 있었다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Experiment Details
Ⅲ. Results and Discussion
Ⅳ. Conclusion
Reference
저자소개
참고문헌 (16)
참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - J. G. Yun / 2008 / Fabrication and characterization of fin SONOS flash memory with separated double-gate structure / Solid-State Electronics 52 : 1498 ~ 1504
2. [학술지(정기간행물)] - G. Wang / 2008 / Characterization of scaled MANOS nonvolatile semiconductor memory (NVSM) devices / Solid-State Electronics 52 : 1491 ~ 1497
3. [학술지(정기간행물)] - M. W. Seo / 2008 / Charge traps and interface traps in non-volatile memory device with Oxide-Nitride-Oxide structures / Solid- State Electronics 517 : 245 ~ 247
4. [학술지(정기간행물)] - Y. J. Seo / 2008 / Analysis of electronic memory traps in the oxide -nitride-oxide structure of a polysilicon- oxide-nitride-oxide-semiconductorflash memory / Appl. Phys. Lett 92 : 104 ~ 132
5. [학술지(정기간행물)] - Y. J. Song / 2004 / A low-temperature and high-quality radical-assisted oxidation process utilizing a remote ultraviolet ozone source for high-performance SiGe/Si MOSFETs / Semicond. Sci. Technol 19 : 792 ~ 797
2. [학술지(정기간행물)] - G. Wang / 2008 / Characterization of scaled MANOS nonvolatile semiconductor memory (NVSM) devices / Solid-State Electronics 52 : 1491 ~ 1497
3. [학술지(정기간행물)] - M. W. Seo / 2008 / Charge traps and interface traps in non-volatile memory device with Oxide-Nitride-Oxide structures / Solid- State Electronics 517 : 245 ~ 247
4. [학술지(정기간행물)] - Y. J. Seo / 2008 / Analysis of electronic memory traps in the oxide -nitride-oxide structure of a polysilicon- oxide-nitride-oxide-semiconductorflash memory / Appl. Phys. Lett 92 : 104 ~ 132
5. [학술지(정기간행물)] - Y. J. Song / 2004 / A low-temperature and high-quality radical-assisted oxidation process utilizing a remote ultraviolet ozone source for high-performance SiGe/Si MOSFETs / Semicond. Sci. Technol 19 : 792 ~ 797
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