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Abstract
1. 서론
2. 실험장치
3. 실리콘 식각 특성
4. Actinometry에 의한 플라즈마 특성 분석
5. 결론
참고문헌
저자소개
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전자공명을 이용한 저온 플라즈마 식각에 관한 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
1992 .07
다결정 실리콘 박막트랜지스터를 위한 저온 Electron Cyclotron Resonance N₂O-플라즈마 산화
전기학회논문지
1998 .09
펄스 플라즈마를 이용한 식각
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2018 .11
Electron Cyclotron Resonance N₂O-플라즈마 산화를 이용한 열산화막의 신뢰성 향상
전기학회논문지
1998 .08
전자 싸이클로트론 공명 플라즈마 화학 증착법에 의한 실리콘 질화막 형성 및 특성 연구
한국표면공학회지
1992 .12
Surface Roughness and Defect morphology in Electron Cyclotron Resonance Hydrogen Plasma Cleaned ( 100 ) Silicon at Low Temperatures
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
저온 플라즈마 발생과 응용
전기학회논문지 C
2002 .09
ECR 플라즈마 식각 장치에서 플라즈마 물성이 식각 특성에 미치는 영향
전기학회논문지
1993 .04
차세대 노광공정용 Ta박막의 $0.2\mu\textrm{m}$ 미세패턴 식각특성 연구
한국재료학회지
2000 .01
유도 결합 플라즈마를 이용한 Y₂O₃ 박막의 식각 특성 연구 ( A Study on Etch Characteristics of Y₂O₃ Thin Films in Inductively Coupled Plasma )
전자공학회논문지-SD
2001 .09
플라즈마 식각 공정을 위한 3차원 식각 시뮬레이터 개발 ( Development of Three-Dimensional Etching Simulator for a Plasma Etching Process )
대한전자공학회 학술대회
1997 .11
플라즈마 식각 공정을 위한 3차원 식각 시뮬레이터 개발
대한전자공학회 학술대회
1997 .11
Remote 플라즈마에서 위치 및 반응기체에 따른 PMMA의 식각 특성 분석
화학공학
2006 .01
Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition 에 의한 상온 실리콘 산화막 형성시 질소 첨가가 절연막의 특성에 미치는 영향 ( Effects of Nitrogen Addition on the Dielectric Characteristics of Room Temperature Silicon Oxide Thin Films Prepared by Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition )
전자공학회논문지-A
1994 .11
플라즈마 식각방법에 의한 단결정 실리콘의 Two-Step 식각특성 ( Two-Step Etching Characteristics of Single-Si by the Plasma Etching Technique )
전자공학회논문지
1987 .01
초고진공 전자공명 플라즈마를 이용한 SiC buffer layer 형성에 관한 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
1995 .11
플라즈마 식각 방법에 의한 단결성 실리콘의 Two-Step 식각 특성 ( Two-Step Etching Characteristics of Single-si by the Plasma Etching Technique )
대한전자공학회 학술대회
1985 .01
반응성 이온 식각 장비에서 산소 플라즈마를 이용한 백금의 식각에 관한 연구 ( A Study on Pt Etch by Oxygen Plasma in Reactive Ion Etcher )
대한전자공학회 학술대회
1995 .11
반응성 이온 식각 장비에서 산소 플라즈마를 이용한 백금의 식각에 관한 연구
대한전자공학회 학술대회
1995 .12
자화된 플라즈마의 특성 및 식각에의 응용
대한전기학회 학술대회 논문집
1993 .11
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