퓨전 플래시 메모리의 다중 블록 삭제를 위한 Erase Group Flash Translation Layer

이동환; 조원희; 김덕환

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자료유형: 학술저널

저자정보: 이동환 조원희 김덕환 (인하대학교)

저널정보: 대한전자공학회 전자공학회논문지-CI 電子工學會論文誌 CI編第46卷第4號

발행연도: 2009.7

수록면: 21 - 30 (10page)

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OneNAND™와 같이 NAND와 NOR 플래시 메모리의 장점을 혼합한 퓨전 플래시 메모리는 대용량과 빠른 읽기/쓰기 및 XIP(eXecute-In-Place)를 지원하여 고성능 휴대용 임베디드 시스템을 위한 유비쿼터스 저장장치로 각광받고 있다. 또한 OneNAND™는 혼합형 구조의 장점뿐만 아니라 다수의 블록을 한 번에 삭제할 수 있는 다중 블록 삭제 기능을 제공하여 플래시 메모리의 느린 삭제 성능을 향상시켰다. 하지만 기존의 플래시 메모리 주소 변환 계층에서는 다수의 블록을 한 번에 삭제할 수 있다는 점을 고려하지 않고, 소수의 블록들을 가비지 컬렉션의 희생 블록으로 선택하여 삭제하므로 다중 블록 삭제 기능의 효율적인 사용이 어렵다. 본 논문에서는 다중 블록 삭제의 사용을 개선할 수 있는 EGFTL(Erase Group Flash Translation Layer)를 제안한다. EGFTL은 가비지 컬렉션 성능이 뛰어난 Superblock scheme과 다수의 무효 블록들을 관리하는 무효 블록 관리자를 통하여 다수의 블록들을 한 번에 삭제할 수 있도록 한다. 또한 군집형 해시 테이블을 적용하여 Superblock scheme의 주소 변환 성능을 개선하였다. 실험 결과 본 논문에서 제안한 EGFTL이 다른 주소 변환 계층 보다 가비지 컬렉션 성능을 30% 이상 향상시켰으며, Superblock scheme의 주소 변환 성능을 5%이상 향상시켰다.

#FTL #Multi Block Erase #Fusion flash memory #garbage collection #erase group

참고문헌 (11)

참고문헌 신청

1. [인터넷자원] - Samsung Electronics Co. Ltd / / OneNANDTM Features & Performance

2. [학술지(정기간행물)] - 이동환 / 2008 / 다중 블록 지우기 기능을 적용한 퓨전 플래시 메모리의 FTL 성능 측정 도구 설계 및 구현 / 대한전자공학회 31 (1) : 647 ~ 648

3. [인터넷자원] - Intel Corporation / / Understanding the Flash Translation Layer Specification

4. [학술지(정기간행물)] - Jesung Kim / 2002 / A space-efficient flash translation layer for compact flash systems / IEEE Transactions on Consumer Electronics 48 (2) : 366 ~ 375

5. [학술지(정기간행물)] - Sang-Won Lee / 2007 / A log buffer based flash translation layer using fully associative sector translation / ACM Transactions on Embedded Computing Systems 6 (3)

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