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대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 電子工學會論文誌 SD編 第46卷 第3號
발행연도
2009.3
수록면
96 - 102 (7page)

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본 논문에서는 600V/200A 또는 1200V/150A와 같은 고전력 절연 게이트 소자를 구동 및 보호하기 위한 파워 IC에 대한 연구에 대해서 살펴보았다. 고전력 소자의 구동을 위해서 최대 Sourcing 전류 4A, 최대 Sinking 전류 8A로 설계하였으며, 과전류 보호회로로는 전력소자의 드레인(콜렉터) 전압을 측정하여, Desaturation을 검출하는 방식을 사용하였다. 또한 과전류 보호시 기생 인덕턴스에 의해 발생할 수 있는 과전압을 억제하기 위해서 Soft-shutdown 기능을 추가하였다. 제안된 게이트 구동 IC는 동부하이텍의 고전압 BCDMOS 공정인 0.35㎛ BDA350 공정과 PDK를 사용하여 설계 및 제작하여 검증하였다.
#gate drive #IGBT #protection #soft shutdown #short circuit

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 실험
Ⅳ. 결론
참고문헌
저자소개

참고문헌 (8)

참고문헌 신청
1. [단행본] - A. D. Pathak / 2001 / MOSFET/IGBT drives theory and applications / IXYS Corporation : 1 ~ google schola 2. [단행본] - V. K. Khanna / 2003 / The Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design / Wiley-Interscience : 5 ~ 11 google schola 3. [단행본] - 김상철 / 2002 / 전력반도체 기술 및 시장동향 / 전기전자재료 : 15 ~ 24 google schola 4. [보고서] - Toshio Takahashi / 2000 / IGBT Protection in AC or BLDC Motor Drives google schola 5. [단행본] - E. R. Motto / 1999 / Hybrid Circuits Simplify IGBT Module Gate Drive / Powerex google schola

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