상단락 방지용 모듈을 구동하기 위한 게이트 구동 IC

서대원; 박시홍; 김준식

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자료유형: 학술저널

저자정보: 서대원 박시홍 김준식

저널정보: 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제22권 제7호

발행연도: 2009.1

수록면: 580 - 583 (4page)

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This paper introduces a gate drive IC for power modules with shoot-through immunity. A new approach uses a bootstrap diode as a high-side voltage bias and a level shift function at the same time. Therefore, the gate drive circuit becomes a simple and low-cost without conventional level shift functions such as HVIC(High-Voltage IC), optocoupler and transformer. The proposed gate drive IC is designed and fabricated using the Dongbu-Hitek's 0.35 um BD350BA process. It has been tested and verified with IGBT modules.

#Gate drive IC #Floating power supply #Level shift #Bootstrap diode #Module With shoot-through immunity

참고문헌 (6)

참고문헌 신청

B.J. Baliga / 1995 / Power Semiconductor Devices / PWS Publishing Company : 387 ~

I. R. Corp / / HW Floating MOS-Gate Drive ICs

I. R. Corp / / Use Gate Charge to Design the Gate Drive Circuit for Power MOSFETs and IGBTs

Park, S / 2004 / An augmented phase-leg configuration with shoot-through immunity and improvements for high-current operation / IEEE APEC Conference

S.H.Park / 2004 / An augmented phase-leg configuration(APLC)with shoot-through immunity for insulated gate power / University Of Wisconsin-Madison : 39 ~

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