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대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 電子工學會論文誌 SD編 第45卷 第10號
발행연도
2008.10
수록면
7 - 14 (8page)

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이 논문의 연구 히스토리 (4)

2009

공정 및 공급전압 변화에 강인한 하프브리지 구동 IC의 설계
송기남 ,  김기현 ,  서길수 외 3명 전기전자재료학회논문지 2009.01 학술저널

2008

잡음 내성이 향상된 300W 공진형 하프-브리지 컨버터용 고전압 구동 IC 설계
송기남 ,  박현일 ,  이용안 외 4명 전자공학회논문지-SD 2008.10 학술저널
1㎛ BCD 650V 공정을 이용한 300W 하프-브리지 컨버터용 고전압 구동IC의 설계
송기남 ,  박현일 ,  이용안 외 4명 대한전자공학회 학술대회 2008.06 학술대회자료
1㎛ BCD 650V 공정을 이용한 300W 하프-브리지 컨버터용 고전압 구동IC의 설계
송기남 ,  박현일 ,  이용안 외 4명 대한전자공학회 학술대회 2008.06 학술대회자료

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본 논문에서는 1.0㎛ BCD 650V 공정을 이용하여 향상된 잡음 내성과 높은 전류 구동 능력을 갖는 고전압 구동 IC를 설계하였다. 설계된 고전압 구동 IC는 500㎑의 고속 동작이 가능하고, 입력 전압의 범위가 최대 650V이다. 설계된 IC에 내장된 상단 레벨 쉬프터는 잡음 보호회로와 슈미트 트리거를 포함하고 있으며 최대 50V/ns의 높은 dv/dt 잡음 내성을 가지고 있다. 또한 설계된 숏-펄스 생성회로가 있는 상단 레벨 쉬프터의 전력 소모는 기존 회로 대비 40% 이상 감소하였다. 이외에도 상ㆍ하단 파워 스위치의 동시 도통을 방지하는 보호회로와 구동부의 전원 전압을 감지하는 UVLO(Under Voltage Lock-Out) 회로를 내장하여 시스템의 안정도를 향상시켰다. 설계된 고전압 구동 IC의 특성 검증에는 Cadence사의 spectre 및 PSpice를 이용하였다.
#High Voltage Gate Driver ICs #MOSFET Driver IC #Half-Bridge Converter

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 향상된 잡음 내성과 높은 전류 구동 능력을 갖는 고전압 구동 IC
Ⅲ. 응용회로를 통한 고전압 구동 IC의 검증
Ⅳ. 결론
참고문헌
저자소개

참고문헌 (8)

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1. [단행본] - Christophe P. Basso / 2008 / SWITCH-MODE POWER SUPPLY / Mc Graw Hill : 93 ~ 94 google schola 2. [학술지(정기간행물)] - Aldo Novelli / 2006 / 개선된 공진 양구 컨트롤러 하프 브리지 방식의 회로구성 / 전자부품 : 58 ~ 63 google schola 3. [인터넷자원] - / / www.irf.com/product-info/cic/fsgatedriverics.html google schola 4. [단행본] - B. Murari / 1996 / Smart Power ICs / Springer : 361 ~ google schola 5. [인터넷자원] - / / Half-Bridge Driver IRS2103(S)PbF datasheet / International Rectifier Website google schola

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