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논문 기본 정보

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학술대회자료
저자정보
저널정보
대한기계학회 대한기계학회 춘추학술대회 대한기계학회 2008년도 추계학술대회
발행연도
2008.11
수록면
1,880 - 1,884 (5page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2009

구리 CMP 후 연마입자 제거에 화학 기계적 세정의 효과
김영민 ,  조한철 ,  정해도 대한기계학회 논문집 A권 2009.10 학술저널

2008

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김영민 ,  조한철 ,  정해도 대한기계학회 춘추학술대회 2008.11 학술대회자료

초록· 키워드

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Cleaning is required following CMP (chemical mechanical planarization) to remove particles. The minimization of particle residue is required with each successive technology generation, and te cleaning of wafers becomes more complicated. In copper damascene process for interconnection structure, it utilizes 2-step CMP consists of Cu CMP and barrier CMP. Such a 2-steps CMP process leaves a lot of abrasive particles on the wafer surface, cleaning is required to remove abrasive particles. In this study, the buffing is performed various conditions as a cleaning process. The buffing process combined mechanical cleaning by friction between a wafer and a buffing pad and chemical cleaning by buffing solution consists of tetramethyl ammonium hydroxide(TMAH)/benzotriazole(BTA)
#Post Cu CMP cleaning(구리의 화학 기계적 연마 후 세정) #buffing(버프 가공) #colloidal silica abrasive(콜로이달 실리카 연마입자)

목차

Abstract
1. 서론
2. 실험
3. 실험결과
4. 결론
감사의 글
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