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논문 기본 정보

자료유형
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저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.8 No.4
발행연도
2008.12
수록면
302 - 310 (9page)

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This paper puts forward an advanced consideration on the design of scaled multiple-gate FET (MuGFET); the aspect ratio (R<SUB>h/w</SUB>) of the fin height (h) to fin width (w) of MuGFET is considered with the aid of 3-D device simulations. Since any change in the aspect ratio must consider the trade-off between drivability and short-channel effects, it is shown that optimization of the aspect ratio is essential in designing MuGFET’s. It is clearly seen that the triple-gate (TG) FET is superior to the conventional FinFET from the viewpoints of drivability and short-channel effects as was to be expected. It can be concluded that the guideline of w ＜ L/3, where L is the channel length, is essential to suppress the short-channel effects of TG-FET.
#Aspect ratio #FinFET #triple-gate FET #short- channel effects #drivability #subthreshold swing #DIBL #3-D device simulations

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. DEVICE STRUCTURES AND SIMULATION MODEL
Ⅲ. RESULTS AND DISCUSSIONS
Ⅳ. CONCLUSIONS
REFERENCES

참고문헌 (26)

참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - T. Skotnicki / 2005 / The End of CMOS Scaling / IEEE Circuits & Devices Magazine 21 : 16 ~ 26 google schola 2. [학술지(정기간행물)] - D. Hisamoto / 1998 / A Folded-Channel MOSFET for Deep-Sub-tenth Micron Era,” / IEEE IEDM Tech. Dig : 1032 ~ 1034 google schola 3. [학술지(정기간행물)] - B. Doyle / 2003 / Tri-Gate Fully-Depleted CMOS Transistors: Fabrication, Design and Layout / Int. Symp. VLS. Tech. Dig.(Kyoto) : 133 ~ 134 google schola 4. [학술지(정기간행물)] - Y. Liu / 2003 / An Experimental Study of the Cross-Sectional Channel Shape Dependence of Short-Channel Effects in Fin-Type Double-Gate MOSFETs / Ext. Abstr. 2003 Int. Conf. Solid State Devices and Mat. (Tokyo) : 284 ~ 285 google schola 5. [학술지(정기간행물)] - J. G. Fossum / 2003 / Suppression of Corner Effects in Triple-Gate MOSFETs / IEEE Electron Dev. Lett 24 : 745 ~ 747 google schola

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