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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제21권 제8호
발행연도
2008.1
수록면
719 - 726 (8page)

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In this paper, we designed driving IC for 500 V resonant half-bridge type power converter. In this single-ended level shifter, chip area and power dissipation was decreased by 50 % and 23.5 % each compared to the conventional dual-ended level shifter. Also, this newly designed circuit solved the biggest problem of conventional flip-flop type level shifter in which the power MOSFET were turned on simultaneously due to the large dv/dt noise. The proposed high side level shifter included switching noise protection circuit and schmmit trigger to minimize the effect of displacement current flowing through LDMOS of level shifter when power MOSFET is operating. The designing process was proved reasonable by conducting Spectre and PSpice simulation on this circuit using 1 ㎛ BCD process parameter.
#Half-bridge converter #MOSFET driver IC #High side level shifter

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A. Novelli / 2004 / New generation of half bridge gate driver ICs for use with low power 3.3 V control appliction / IEE CNF Power Electronics 4 : 3237 ~ google schola B. Murari / 1996 / Smart Power ICs / Springer : 365 ~ google schola C.P. Basso / 2008 / Switch-mode Power Supplies / Mc Graw Hill : 19 ~ google schola D.R.H. Cater / 1996 / "An integrated level shifter for use in high frequency half-bridges", Power Semicondutor Devices, IET CNF, 1996 google schola E. Segunda / 2001 / HV Floating MOS-gate Driver ICs / Application Note AN978 International Rectifier, Inc. google schola

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