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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.8 No.3
- 발행연도
- 2008.9
- 수록면
- 232 - 238 (7page)
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In this paper, a wideband power efficient 2.2 ㎓ - 4.9 ㎓ Medium Power Amplifier (MPA) has been designed and fabricated using 0.8 ㎛ SiGe BiCMOS process technology. Passive elements such as parallel-branch spiral inductor, metal-insulatormetal (MIM) capacitor and three types of resistors are all integrated in this process. This MPA is a two stage amplifier with all matching components and bias circuits integrated on-chip. A P1㏈ of 17.7 ㏈m has been measured with a power gain of 8.7 dB at 3.4 ㎓ with a total current consumption of 30 ㎃ from a 3 V supply voltage at 25 ℃. The measured 3 ㏈ bandwidth is 2.7 ㎓ and the maximum Power Added Efficiency (PAE) is 41%, which are very good results for a fully integrated Medium PA. The fabricated circuit occupies a die area of 1.7 ㎜ × 0.8 ㎜.
목차
Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. CHARACTERISTICS OF ACTIVE AND PASSIVE DEVICES
Ⅲ. MEDIUM POWER AMPLIFIER
Ⅳ. MEASUREMENT RESULTS
Ⅴ. CONCLUSIONS
REFERENCES
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