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Wei Meng Lim (Nanyang Technological University) Jiangmin Gu (Soochow University) Jialin Feng (Soochow University) Kiat Seng Yeo (Nanyang Technological University) Xiaopeng Yu (Zhejiang University) Liter Siek (Nanyang Technological University) Kok Meng Lim (Nanyang Technological University) Chirn Chye Boon (Nanyang Technological University) Wanlan Yang (Nanyang Technological University) Jinna Yan (Nanyang Technological University)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 ISOCC ISOCC 2013 Conference
발행연도
2013.11
수록면
138 - 141 (4page)

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This paper describes the design and analysis of a four-stages 60㎓ SiGe BiCMOS power amplifier. The proposed circuit uses single-ended common-emitter topology that draws 72㎽ from 1.8V supply. It is able to deliver 12.1㏈m output, 17.4㏈ power gain with a peak 14.1% PAE at its compression point. The S21 has a 3dB bandwidth from 55㎓ to 67㎓, which covers the whole of 60㎓ band. The power amplifier occupy a silicon area of 1.1 x 0.46 ㎛² and the measured results show that it can be fully adopted in the 60㎓ ISM band applications.
#power amplifier #SiGe #60㎓ ISM band #P1㏈ #Psat #PAE

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. FOUR-STAGES POWER AMPLIFIER DESIGN
Ⅲ. MEASURUREMENT
Ⅳ. CONCLUSION
REFERENCES

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