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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2008.4
- 수록면
- 57 - 63 (7page)
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본 논문에서는 Contact Etch Stop Layer (CESL)인 nitride film의 mechanical stress에 의해 인가되는 channel stress가 소자특성에 미치는 영향에 대해 분석하였다. 잘 알려진 바와 같이 NMOS는 tensile stress와 PMOS에서는 compressive stress가 인가되었을 경우 drain current가 증가하였으며 그 원인을 체계적으로 분석하였다. NMOS의 경우 tensile stress가 인가됨으로써 back scattering ratio (r<SUB>sat</SUB>)의 감소와 thermal injection velocity (V<SUB>inj</SUB>)의 증가로 인해 mobility가 개선됨을 확인하였다. 또한 r<SUB>sat</SUB> 의 감소는 온도에 따른 mobility의 감소율이 작고, 그에 따른 mean free path ( λO)의 감소율이 작기 때문인 것으로 확인되었다. 한편 PMOS의 compressive stress 경우에는 tensile stress에 비해 온도에 따른 mobility의 감소율이 크기 때문에 channel back scattering 현상은 심해지지만 source에서의 V<SUB>inj</SUB>가 큰 폭으로 증가함으로써 mobility가 개선됨을 확인 할 수 있었다. 따라서 CES-Layer에 의해 인가된 channel stress에 따른 소자 특성의 변화는 inversion layer에서의 channel back scattering 현상과 source에서의 thermal injection velocity에 매우 의존함을 알 수 있다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험방법
Ⅲ. 실험결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
참고문헌
저자소개
참고문헌 (13)
참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - N. Motha / 2005 / Mobility enhancement: The Next Nector To Extend Moore's Law / IEEE Circuit and Device Magazine September/October 2005.(388) : 18 ~ 23
2. [학술지(정기간행물)] - M.Lundstrom / 2001 / On The Mobility Versus Drain Current Relation For A Nanoscale Mosfet / IEEE Electron Device Letters 22 (6) : 293 ~ 295
3. [학술지(정기간행물)] - M. Lundstrom / 1997 / Elementary Scattering Theory Of The Si Mosfet / IEEE Electron Device Letters 18 (7) : 361 ~ 363
4. [학술지(정기간행물)] - M. Lundstrom / 2002 / Esssential Physics Of Carrier Transport In Nanoscale Mosfets / IEEE Electron Device 49 (1) : 133 ~ 141
5. [학술지(정기간행물)] - S. E. Thompson / 2004 / A Logic Nanotechnology Featuring Strained-Silicon / IEEE Electron Device Letters 25 (4) : 191 ~ 193
2. [학술지(정기간행물)] - M.Lundstrom / 2001 / On The Mobility Versus Drain Current Relation For A Nanoscale Mosfet / IEEE Electron Device Letters 22 (6) : 293 ~ 295
3. [학술지(정기간행물)] - M. Lundstrom / 1997 / Elementary Scattering Theory Of The Si Mosfet / IEEE Electron Device Letters 18 (7) : 361 ~ 363
4. [학술지(정기간행물)] - M. Lundstrom / 2002 / Esssential Physics Of Carrier Transport In Nanoscale Mosfets / IEEE Electron Device 49 (1) : 133 ~ 141
5. [학술지(정기간행물)] - S. E. Thompson / 2004 / A Logic Nanotechnology Featuring Strained-Silicon / IEEE Electron Device Letters 25 (4) : 191 ~ 193
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